參數(shù)資料
型號(hào)： CY7C1161V18-300BZXC
廠商： CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： SRAM
英文描述： 18-Mbit QDR⑩-II+ SRAM 4-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency)
中文描述： 2M X 8 QDR SRAM, 0.45 ns, PBGA165
封裝： 13 X 15 MM, 1.40 MM HEIGHT, LEAD FREE, MO-216, FPBGA-165
文件頁(yè)數(shù)： 9/29頁(yè)
文件大?。?/td> 659K
代理商： CY7C1161V18-300BZXC
CY7C1161V18, CY7C1176V18
CY7C1163V18, CY7C1165V18
Document Number: 001-06582 Rev. *D
Page 17 of 29
TAP AC Switching Characteristics
The Tap AC Switching Characteristics over the operating range follows.[16, 17]
Parameter
Description
Min
Max
Unit
tTCYC
TCK Clock Cycle Time
50
ns
tTF
TCK Clock Frequency
20
MHz
tTH
TCK Clock HIGH
20
ns
tTL
TCK Clock LOW
20
ns
Setup Times
tTMSS
TMS Setup to TCK Clock Rise
5
ns
tTDIS
TDI Setup to TCK Clock Rise
5
ns
tCS
Capture Setup to TCK Rise
5
ns
Hold Times
tTMSH
TMS Hold after TCK Clock Rise
5
ns
tTDIH
TDI Hold after Clock Rise
5
ns
tCH
Capture Hold after Clock Rise
5
ns
Output Times
tTDOV
TCK Clock LOW to TDO Valid
10
ns
tTDOX
TCK Clock LOW to TDO Invalid
0
ns
TAP Timing and Test Conditions
The Tap Timing and Test Conditions for the CY7C1161V18, CY7C1176V18, CY7C1163V18, and CY7C1165V18 follows.[17]
tTL
tTH
(a)
TDO
CL = 20 pF
Z0 = 50Ω
GND
0.9V
50
Ω
1.8V
0V
ALL INPUT PULSES
0.9V
Test Clock
Test Mode Select
TCK
TMS
Test Data In
TDI
Test Data Out
tTCYC
tTMSH
tTMSS
tTDIS
tTDIH
tTDOV
tTDOX
TDO
Notes
16. tCS and tCH refer to the setup and hold time requirements of latching data from the boundary scan register.
17. Test conditions are specified using the load in TAP AC test conditions. tR/tF = 1 ns.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
CY7C1161V18 18-Mbit QDR⑩-II+ SRAM 4-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency)
CY7C1168V18-333BZXC 18-Mbit DDR-II+ SRAM 2-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency)
CY7C1168V18-333BZXI 18-Mbit DDR-II+ SRAM 2-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency)
CY7C1170V18-300BZC 18-Mbit DDR-II+ SRAM 2-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency)
CY7C1170V18-300BZI 18-Mbit DDR-II+ SRAM 2-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
CY7C1163KV18-400BZI 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 18MB (1Mx18) 1.8v 400MHz DDR II 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C1163KV18-450BZC 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 18MB (1Mx18) 1.8v 450MHz DDR II 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C1163KV18-550BZC 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 18MB (1Mx18) 1.8v 550MHz DDR II 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C11651KV18-400BZC 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 Sync 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 QDR RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C11651KV18-400BZXC 功能描述:IC SRAM 18MBIT 400MHZ 165-FPBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:150 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:EEPROMs - 串行 存儲(chǔ)器類型:EEPROM 存儲(chǔ)容量:4K (2 x 256 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:2.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-VFDFN 裸露焊盤 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-DFN（2x3） 包裝:管件 產(chǎn)品目錄頁(yè)面:1445 (CN2011-ZH PDF)
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