參數(shù)資料
型號: CY7C1161V18-300BZXI
廠商: CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP
元件分類: SRAM
英文描述: 18-Mbit QDR⑩-II+ SRAM 4-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency)
中文描述: 2M X 8 QDR SRAM, 0.45 ns, PBGA165
封裝: 13 X 15 MM, 1.40 MM HEIGHT, LEAD FREE, MO-216, FPBGA-165
文件頁數(shù): 25/29頁
文件大?。?/td> 659K
代理商: CY7C1161V18-300BZXI
CY7C1161V18, CY7C1176V18
CY7C1163V18, CY7C1165V18
Document Number: 001-06582 Rev. *D
Page 5 of 29
Pin Configurations (continued)
CY7C1163V18 (1M x 18)
165-Ball FBGA (13 x 15 x 1.4 mm) Pinout
23
4
56
7
1
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
P
R
A
CQ
NC
DOFF
NC
NC/144M NC/36M
BWS1
K
WPS
NC/288M
Q9
D9
NC
TDO
NC
D13
NC
TCK
NC
D10
A
NC
K
BWS0
VSS
ANCA
Q10
VSS
VDD
A
VSS
VDD
Q11
D12
VDDQ
D14
Q14
D16
Q16
Q17
A
VDDQ
VSS
VDDQ
VDD
Q13
VDDQ
VDD
VDDQ
VDD
VDDQ
VDD
VSS
VDD
VDDQ
VSS
A
VSS
A
D11
VSS
NC
VSS
Q12
NC
VREF
VSS
VDD
VSS
A
VSS
QVLD
NC
Q15
NC
D17
D15
VDD
A
8
910
11
Q0
ANC/72M
RPS
CQ
A
NC
Q8
VSS
NC
Q7
D8
NC
VSS
NC
Q6
D5
NC
VREF
NC
Q3
VDDQ
NC
VDDQ
NC
Q5
VDDQ
D4
VDDQ
NC
Q4
NC
VDDQ
NC
VSS
NC
D2
NC
TDI
TMS
VSS
A
NC
A
D7
D6
NC
ZQ
D3
Q2
D1
Q1
D0
NC
A
NC
CY7C1165V18 (512K x 36)
23
45
6
7
1
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
P
R
A
CQ
Q27
D27
D28
D34
DOFF
Q33
NC/288M NC/72M
BWS2
K
WPS
BWS1
Q18
D18
Q30
D31
D33
TDO
Q28
D29
D22
D32
Q34
Q31
TCK
D35
D19
A
BWS3
K
BWS0
VSS
ANCA
Q19
VSS
VDD
A
VSS
VDD
Q20
D21
VDDQ
D23
Q23
D25
Q25
Q26
A
VDDQ
VSS
VDDQ
VDD
Q22
VDDQ
VDD
VDDQ
VDD
VDDQ
VDD
VSS
VDD
VDDQ
VSS
A
NC
VSS
A
D20
VSS
Q29
VSS
Q21
D30
VREF
VSS
VDD
VSS
A
VSS
QVLD
Q32
Q24
Q35
D26
D24
VDD
A
89
10
11
Q0
NC/36M NC/144M
RPS
CQ
A
D17
Q17
Q8
VSS
D16
Q7
D8
Q16
VSS
D15
Q6
D5
D9
Q14
VREF
Q11
Q3
VDDQ
Q15
VDDQ
D14
Q5
VDDQ
D4
VDDQ
D12
Q4
Q12
VDDQ
D11
VSS
D10
D2
Q10
TDI
TMS
VSS
A
Q9
A
D7
D6
D13
ZQ
D3
Q2
D1
Q1
D0
Q13
A
相關(guān)PDF資料
PDF描述
CY7C1161V18-300BZXC 18-Mbit QDR⑩-II+ SRAM 4-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency)
CY7C1161V18 18-Mbit QDR⑩-II+ SRAM 4-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency)
CY7C1168V18-333BZXC 18-Mbit DDR-II+ SRAM 2-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency)
CY7C1168V18-333BZXI 18-Mbit DDR-II+ SRAM 2-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency)
CY7C1170V18-300BZC 18-Mbit DDR-II+ SRAM 2-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
CY7C1163KV18-400BZI 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 18MB (1Mx18) 1.8v 400MHz DDR II 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C1163KV18-450BZC 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 18MB (1Mx18) 1.8v 450MHz DDR II 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C1163KV18-550BZC 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 18MB (1Mx18) 1.8v 550MHz DDR II 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C11651KV18-400BZC 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 Sync 靜態(tài)隨機存取存儲器 QDR RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C11651KV18-400BZXC 功能描述:IC SRAM 18MBIT 400MHZ 165-FPBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:150 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:4K (2 x 256 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C,2 線串口 電源電壓:2.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-VFDFN 裸露焊盤 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-DFN(2x3) 包裝:管件 產(chǎn)品目錄頁面:1445 (CN2011-ZH PDF)