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參數(shù)資料
| 型號： | CY7C1161V18-333BZI |
| 廠商： | CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | SRAM |
| 英文描述： | 18-Mbit QDR⑩-II+ SRAM 4-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency) |
| 中文描述： | 2M X 8 QDR SRAM, 0.45 ns, PBGA165 |
| 封裝： | 13 X 15 MM, 1.40 MM HEIGHT, MO-216, FPBGA-165 |
| 文件頁數(shù)： | 13/29頁 |
| 文件大小： | 659K |
| 代理商： | CY7C1161V18-333BZI |
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CY7C1161V18, CY7C1176V18
CY7C1163V18, CY7C1165V18
Document Number: 001-06582 Rev. *D
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Power Up Sequence in QDR-II+ SRA
During power up, when the DOFF is tied HIGH, the DLL gets
locked after 2048 cycles of stable clock. QDR-II+ SRAMs must
be powered up and initialized in a predefined manner to prevent
undefined operations.
Power Up Sequence
■ Apply power with DOFF tied HIGH (All other inputs can be
HIGH or LOW)
Apply VDD before VDDQ
Apply VDDQ before VREF or at the same time as VREF
■ Provide stable power and clock (K, K) for 2048 cycles to lock
the DLL
DLL Constraints
■ DLL uses K clock as its synchronizing input. The input must
have low phase jitter, which is specified as tKC Var
■ The DLL functions at frequencies down to 120 MHz
■ If the input clock is unstable and the DLL is enabled, then the
DLL locks onto an incorrect frequency, causing unstable SRAM
behavior. To avoid this, provide 2048 cycles stable clock to
relock to the desired clock frequency
Power Up Waveforms
Figure 4. Power Up Waveforms
K
Fix HIGH (tie to VDDQ)
VDD/VDDQ
DOFF
Clock Start (Clock Starts after VDD/VDDQ is Stable)
Unstable Clock
> 2048 Stable Clock
Start Normal
Operation
~ ~
VDD/VDDQ Stable (< + 0.1V DC per 50 ns)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CY7C1161V18-333BZC | 18-Mbit QDR⑩-II+ SRAM 4-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency) |
| CY7C1161V18-300BZXI | 18-Mbit QDR⑩-II+ SRAM 4-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency) |
| CY7C1161V18-300BZXC | 18-Mbit QDR⑩-II+ SRAM 4-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency) |
| CY7C1161V18 | 18-Mbit QDR⑩-II+ SRAM 4-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency) |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| CY7C1163KV18-450BZC | 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 18MB (1Mx18) 1.8v 450MHz DDR II 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| CY7C1163KV18-550BZC | 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 18MB (1Mx18) 1.8v 550MHz DDR II 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| CY7C11651KV18-400BZC | 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 Sync 靜態(tài)隨機存取存儲器 QDR RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| CY7C11651KV18-400BZXC | 功能描述:IC SRAM 18MBIT 400MHZ 165-FPBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:150 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:4K (2 x 256 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:2.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-VFDFN 裸露焊盤 供應商設備封裝:8-DFN（2x3） 包裝:管件 產(chǎn)品目錄頁面:1445 (CN2011-ZH PDF) |
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