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參數(shù)資料
| 型號： | CY7C1161V18 |
| 廠商： | Cypress Semiconductor Corp. |
| 英文描述： | 18-Mbit QDR⑩-II+ SRAM 4-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency) |
| 中文描述： | 18兆位的國防評估報告⑩- II SRAM的4字突發(fā)架構(gòu)（2.5周期讀寫延遲） |
| 文件頁數(shù)： | 8/29頁 |
| 文件大?。?/td> | 956K |
| 代理商： | CY7C1161V18 |
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CY7C1161V18
CY7C1176V18
CY7C1163V18
CY7C1165V18
Document Number: 001-06582 Rev. *C
Page 16 of 29
TAP Controller Block Diagram
Figure 3. Tap Controller Block Diagram
TAP Electrical Characteristics
The Tap Electrical Characteristics table over the operating range follows.[13, 14, 15]
Parameter
Description
Test Conditions
Min
Max
Unit
VOH1
Output HIGH Voltage
IOH = 2.0 mA
1.4
V
VOH2
Output HIGH Voltage
IOH = 100 A1.6
V
VOL1
Output LOW Voltage
IOL = 2.0 mA
0.4
V
VOL2
Output LOW Voltage
IOL = 100 A0.2
V
VIH
Input HIGH Voltage
0.65 VDD VDD + 0.3
V
VIL
Input LOW Voltage
–0.3
0.35 VDD
V
IX
Input and Output Load Current
GND
≤ VI ≤ VDD
–5
5
A
0
1
2
.
29
30
31
Boundary Scan Register
Identification Register
0
1
2
.
106
0
1
2
Instruction Register
Bypass Register
Selection
Circuitry
Selection
Circuitry
TAP Controller
TDI
TDO
TCK
TMS
Notes
13. These characteristic pertain to the TAP inputs (TMS, TCK, TDI and TDO). Parallel load levels are specified in the Electrical Characteristics table.
14. Overshoot: VIH(AC) < VDDQ + 0.35V (pulse width less than tCYC/2), Undershoot: VIL(AC) > 0.3V (pulse width less than tCYC/2)
15. All voltage referenced to ground.
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相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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| CY7C1163KV18-550BZC | 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 18MB (1Mx18) 1.8v 550MHz DDR II 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| CY7C11651KV18-400BZC | 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 Sync 靜態(tài)隨機存取存儲器 QDR RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| CY7C11651KV18-400BZXC | 功能描述:IC SRAM 18MBIT 400MHZ 165-FPBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:150 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:4K (2 x 256 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:2.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-VFDFN 裸露焊盤 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-DFN（2x3） 包裝:管件 產(chǎn)品目錄頁面:1445 (CN2011-ZH PDF) |
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