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參數(shù)資料
| 型號： | CY7C1170V18-300BZXI |
| 廠商： | CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | SRAM |
| 英文描述： | 18-Mbit DDR-II+ SRAM 2-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency) |
| 中文描述： | 512K X 36 DDR SRAM, 0.45 ns, PBGA165 |
| 封裝： | 13 X 15 MM, 1.40 MM HEIGHT, LEAD FREE, MO-216, FBGA-165 |
| 文件頁數(shù)： | 10/27頁 |
| 文件大小： | 648K |
| 代理商： | CY7C1170V18-300BZXI |
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CY7C1166V18, CY7C1177V18
Document Number: 001-06620 Rev. *D
Page 18 of 27
Boundary Scan Order
Bit #
Bump ID
Bit #
Bump ID
Bit #
Bump ID
Bit #
Bump ID
0
6R
27
11H
54
7B
81
3G
1
6P
28
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55
6B
82
2G
26N
29
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1J
3
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30
11F
57
5B
84
2J
4
7N
31
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5A
85
3K
57R
32
9F
59
4A
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6
8R
33
10F
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5C
87
2K
7
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34
11E
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4B
88
1K
8
9R
35
10E
62
3A
89
2L
9
11P
36
10D
63
1H
90
3L
10
10P
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9E
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1A
91
1M
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1C
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3M
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3C
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3P
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2C
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2P
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3E
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1P
20
10L
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Internal
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2D
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3R
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1G
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5R
26
11J
53
7A
80
1F
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CY7C1170V18-333BZC | 18-Mbit DDR-II+ SRAM 2-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency) |
| CY7C1170V18-333BZI | 18-Mbit DDR-II+ SRAM 2-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency) |
| CY7C1170V18-333BZXC | 18-Mbit DDR-II+ SRAM 2-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency) |
| CY7C1170V18-333BZXI | 18-Mbit DDR-II+ SRAM 2-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency) |
| CY7C1177V18-300BZC | 18-Mbit DDR-II+ SRAM 2-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| CY7C1170V18-400BZXC | 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 18M DDRII+, B2, 2.5 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| CY7C1170XC | 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述: |
| CY7C1214F-100AC | 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述: |
| CY7C1214F-100ACT | 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述: |
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