- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄295374 > CY7C1170V18-300BZXI (CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP) 18-Mbit DDR-II+ SRAM 2-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency) PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | CY7C1170V18-300BZXI |
| 廠商： | CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | SRAM |
| 英文描述： | 18-Mbit DDR-II+ SRAM 2-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency) |
| 中文描述： | 512K X 36 DDR SRAM, 0.45 ns, PBGA165 |
| 封裝： | 13 X 15 MM, 1.40 MM HEIGHT, LEAD FREE, MO-216, FBGA-165 |
| 文件頁數(shù)： | 8/27頁 |
| 文件大小： | 648K |
| 代理商： | CY7C1170V18-300BZXI |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁當前第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁
CY7C1166V18, CY7C1177V18
CY7C1168V18, CY7C1170V18
Document Number: 001-06620 Rev. *D
Page 16 of 27
TAP AC Switching Characteristics
The Tap AC Switching Characteristics over the operating range follows.[13, 14]
Parameter
Description
Min
Max
Unit
tTCYC
TCK Clock Cycle Time
50
ns
tTF
TCK Clock Frequency
20
MHz
tTH
TCK Clock HIGH
20
ns
tTL
TCK Clock LOW
20
ns
Setup Times
tTMSS
TMS Setup to TCK Clock Rise
5
ns
tTDIS
TDI Setup to TCK Clock Rise
5
ns
tCS
Capture Setup to TCK Rise
5
ns
Hold Times
tTMSH
TMS Hold after TCK Clock Rise
5
ns
tTDIH
TDI Hold after Clock Rise
5
ns
tCH
Capture Hold after Clock Rise
5
ns
Output Times
tTDOV
TCK Clock LOW to TDO Valid
10
ns
tTDOX
TCK Clock LOW to TDO Invalid
0
ns
TAP Timing and Test Condition
The Tap Timing and Test Conditions for the CY7C1166V18, CY7C1177V18, CY7C1168V18, and CY7C1170V18 follows.[14]
Figure 4. TAP Timing and Test Conditions
tTL
tTH
(a)
TDO
CL = 20 pF
Z0 = 50Ω
GND
0.9V
50
Ω
1.8V
0V
ALL INPUT PULSES
0.9V
Test Clock
Test Mode Select
TCK
TMS
Test Data In
TDI
Test Data Out
tTCYC
tTMSH
tTMSS
tTDIS
tTDIH
tTDOV
tTDOX
TDO
Notes
13. tCS and tCH refer to the setup and hold time requirements of latching data from the boundary scan register.
14. Test conditions are specified using the load in TAP AC test conditions. tR/tF = 1 ns
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CY7C1170V18-333BZC | 18-Mbit DDR-II+ SRAM 2-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency) |
| CY7C1170V18-333BZI | 18-Mbit DDR-II+ SRAM 2-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency) |
| CY7C1170V18-333BZXC | 18-Mbit DDR-II+ SRAM 2-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency) |
| CY7C1170V18-333BZXI | 18-Mbit DDR-II+ SRAM 2-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency) |
| CY7C1177V18-300BZC | 18-Mbit DDR-II+ SRAM 2-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency) |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| CY7C1170V18-400BZC | 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 18M DDRII+, B2, 2.5 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| CY7C1170V18-400BZXC | 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 18M DDRII+, B2, 2.5 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| CY7C1170XC | 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述: |
| CY7C1214F-100AC | 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述: |
| CY7C1214F-100ACT | 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述: |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。