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參數(shù)資料
| 型號： | CY7C1338G |
| 廠商： | Cypress Semiconductor Corp. |
| 英文描述： | 4-Mbit (128K x 32) Flow-Through Sync SRAM(4-Mb (128K x 32)流通式同步SRAM) |
| 中文描述： | 4兆位（128K的× 32）流量，通過同步靜態(tài)存儲器（4字節(jié)（128K的× 32）流通式同步靜態(tài)存儲器） |
| 文件頁數(shù)： | 17/17頁 |
| 文件大?。?/td> | 365K |
| 代理商： | CY7C1338G |
CY7C1338G
Document #: 38-05521 Rev. *D
Page 17 of 17
Document History Page
Document Title: CY7C1338G 4-Mbit (128K x 32) Flow-Through Sync SRAM
Document Number: 38-05521
Orig. of
Change
**
224369
See ECN
*A
278513
See ECN
REV.
ECN NO.
Issue Date
Description of Change
RKF
VBL
New data sheet
Deleted 66 MHz
Changed TQFP to PB-Free TQFP in Ordering Info section
Added PB-Free BG package
Removed 117-MHz speed bin
Modified Address Expansion balls in the pinouts for 100 TQFP and 119 BGA
Packages as per JEDEC standards and updated the Pin Definitions accord-
ingly
Modified V
OL,
V
OH
test conditions
Replaced ‘Snooze’ with ‘Sleep’
Replaced TBD’s for
Θ
JA
and
Θ
JC
to their respective values on the Thermal
Resistance table
Removed comment on the availability of BG lead-free package
Updated the Ordering Information by shading and unshading MPNs as per
availability
Converted from Preliminary to Final
Changed address of Cypress Semiconductor Corporation on Page# 1 from
“3901 North First Street” to “198 Champion Court”
Removed I
OS
from Electrical Characteristics table on Page #8
Modified test condition from V
IH
< V
DD
to
V
IH
<
V
DD
Modified test condition from V
DDQ
< V
DD
to V
DDQ
< V
DD
Modified “Input Load” to “Input Leakage Current except ZZ and MODE” in the
Electrical Characteristics Table
Replaced Package Name column with Package Diagram in the Ordering
Information table
Replaced Package Diagram of 51-85050 from *A to *B
Updated the Ordering Information table
Added the Maximum Rating for Supply Voltage on V
DDQ
Relative to GND.
Updated the Ordering Information table.
*B
333626
See ECN
SYT
*C
418633
See ECN
RXU
*D
480368
See ECN
VKN
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CY7C1339 | 128K x 32 Synchronous-Pipelined Cache RAM(128K x 32 同步流水線式高速緩沖存儲器 RAM) |
| CY7C1347G-200BGXI | 4-Mbit (128K x 36) Pipelined Sync SRAM |
| CY7C1347G | 4-Mbit (128K x 36) Pipelined Sync SRAM |
| CY7C1347G-133AXC | 4-Mbit (128K x 36) Pipelined Sync SRAM |
| CY7C1347G-133AXI | 4-Mbit (128K x 36) Pipelined Sync SRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| CY7C1338G-100AXC | 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 128Kx32 3.3V COM Sync FT 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| CY7C1338G-100AXCT | 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 128Kx32 3.3V COM Sync FT 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| CY7C1338G-117AXC | 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 128Kx32 3.3V COM Sync FT 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| CY7C1338G-117AXCT | 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 128Kx32 3.3V COM Sync FT 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| CY7C1338S-100AXC | 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 CY7C1338S-100AXC RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
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