參數(shù)資料
型號： CY7C1338G
廠商： Cypress Semiconductor Corp.
英文描述： 4-Mbit (128K x 32) Flow-Through Sync SRAM(4-Mb (128K x 32)流通式同步SRAM)
中文描述： 4兆位（128K的× 32）流量，通過同步靜態(tài)存儲器（4字節(jié)（128K的× 32）流通式同步靜態(tài)存儲器）
文件頁數(shù)： 8/17頁
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代理商： CY7C1338G
CY7C1338G
Document #: 38-05521 Rev. *D
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Storage Temperature .................................–65°C to +150°C
Ambient Temperature with
Power Applied.............................................–55°C to +125°C
Supply Voltage on V
DD
Relative to GND........–0.5V to +4.6V
Supply Voltage on V
DDQ
Relative to GND ......–0.5V to +V
DD
DC Voltage Applied to Outputs
in tri-state ............................................ –0.5V to V
DDQ
+ 0.5V
DC Input Voltage ...................................–0.5V to V
DD
+ 0.5V
Current into Outputs (LOW).........................................20 mA
Static Discharge Voltage........................................... >2001V
(per MIL-STD-883, Method 3015)
Latch-up Current..................................................... >200 mA
Operating Range
Range
Commercial
Industrial
Ambient
Temperature
]
0°C to +70°C
–40°C to +85°C
V
DD
V
DDQ
2.5V –5%
to
V
DD
3.3V
5%/+10%
Electrical Characteristics
Over the Operating Range
[8, 9]
Parameter
V
DD
V
DDQ
V
OH
Description
Power Supply Voltage
I/O Supply Voltage
Output HIGH Voltage
Test Conditions
Min.
3.135
2.375
2.4
2.0
Max.
3.6
V
DD
Unit
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
μ
A
for 3.3V I/O, I
OH
= –4.0 mA
for 2.5V I/O, I
OH
= –1.0 mA
for 3.3V I/O,I
OL
= 8.0 mA
for 2.5V I/O, I
OL
= 1.0 mA
for 3.3V I/O
for 2.5V I/O
for 3.3V I/O
for 2.5V I/O
GND
≤
V
I
≤
V
DDQ
V
OL
Output LOW Voltage
0.4
0.4
V
IH
Input HIGH Voltage
2.0
1.7
–0.3
–0.3
5
V
DD
+ 0.3V
V
DD
+ 0.3V
0.8
0.7
5
V
IL
Input LOW Voltage
[8]
I
X
Input Leakage Current
except ZZ and MODE
Input Current of MODE Input = V
SS
–30
μ
A
μ
A
μ
A
μ
A
μ
A
mA
mA
mA
mA
Input = V
DD
Input = V
SS
Input = V
DD
5
Input Current of ZZ
–5
30
5
225
205
90
80
I
OZ
I
DD
Output Leakage Current GND
≤
V
I
≤
V
DDQ
, Output Disabled
V
DD
Operating Supply
Current
f = f
MAX
= 1/t
CYC
–5
V
DD
= Max., I
OUT
= 0 mA,
7.5-ns cycle, 133 MHz
10-ns cycle, 100 MHz
7.5-ns cycle, 133 MHz
10-ns cycle, 100 MHz
I
SB1
Automatic CE
Power-Down
Current—TTL Inputs
Automatic CE
Power-Down
Current—CMOS Inputs
Automatic CE
Power-Down
Current—CMOS Inputs
Max. V
DD
, Device Deselected,
V
IN
≥
V
IH
or V
IN
≤
V
IL
, f = f
MAX
,
inputs switching
Max. V
DD
, Device Deselected,
V
IN
≥
V
DD
– 0.3V or V
IN
≤
0.3V,
f = 0, inputs static
Max. V
DD
, Device Deselected,
V
IN
≥
V
DDQ
– 0.3V or V
IN
≤
0.3V,
f = f
MAX
, inputs switching
Max. V
DD
, Device Deselected,
V
IN
≥
V
DD
– 0.3V or V
IN
≤
0.3V,
f = 0, inputs static
I
SB2
All speeds
40
mA
I
SB3
7.5-ns cycle, 133 MHz
10-ns cycle, 100 MHz
75
65
mA
mA
I
SB4
Automatic CE
Power-Down
Current—TTL Inputs
All speeds
45
mA
Notes:
8. Overshoot: V
(AC) < V
+1.5V (Pulse width less than t
/2), undershoot: V
(AC) > –2V (Pulse width less than t
CYC
/2).
9. T
Power-up
: Assumes a linear ramp from 0V to V
DD
(min.) within 200 ms. During this time V
IH
< V
DD
and V
DDQ
< V
DD
.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
CY7C1339 128K x 32 Synchronous-Pipelined Cache RAM(128K x 32 同步流水線式高速緩沖存儲器 RAM)
CY7C1347G-200BGXI 4-Mbit (128K x 36) Pipelined Sync SRAM
CY7C1347G 4-Mbit (128K x 36) Pipelined Sync SRAM
CY7C1347G-133AXC 4-Mbit (128K x 36) Pipelined Sync SRAM
CY7C1347G-133AXI 4-Mbit (128K x 36) Pipelined Sync SRAM
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參數(shù)描述
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