參數(shù)資料
型號(hào): CY7C1362B-225BGI
廠商: CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP
元件分類: DRAM
英文描述: BACKSHELL, MDR 68 WAY METALBACKSHELL, MDR 68 WAY METAL; Material:Aluminum; Ways, No. of:68; Colour:Steel
中文描述: 512K X 18 CACHE SRAM, 2.8 ns, PBGA119
封裝: 14 X 22 MM, 2.40 MM HEIGHT, PLASTIC, BGA-119
文件頁(yè)數(shù): 5/34頁(yè)
文件大?。?/td> 895K
代理商: CY7C1362B-225BGI
CY7C1360B
CY7C1362B
Document #: 38-05291 Rev. *C
Page 5 of 34
Pin Configurations
(continued)
165-ball fBGA (3 Chip Enable with JTAG)
CY7C1360B (256K x 36)
4
5
BW
B
BW
C
BW
D
BW
A
V
SS
V
SS
V
SS
V
DD
V
DD
V
SS
V
DD
V
SS
V
DD
V
SS
V
DD
V
DD
V
SS
V
SS
V
DD
V
DD
V
SS
V
DD
V
SS
NC
V
SS
TDI
A
2
3
6
7
1
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
P
R
TDO
NC / 288M
NC
DQP
C
DQ
C
DQ
C
DQP
D
NC
NC
DQ
D
DQ
D
DQ
D
DQ
D
CE
1
CE2
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
CE
3
CLK
V
SS
V
SS
V
SS
BWE
GW
V
SS
V
SS
A
DQ
C
DQ
C
MODE
NC
DQ
C
DQ
C
DQ
C
DQ
C
V
SS
DQ
D
DQ
D
DQ
D
NC
DQ
D
NC / 36M
NC / 72M
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
NC / 18M
A1
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
NC
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
A
A
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
NC
TCK
A
V
SS
TMS
8
9
10
A
11
NC
A
ADV
ADSP
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
ADSC
OE
V
SS
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
SS
A
A
NC / 144M
DQP
B
DQ
B
NC
DQ
B
DQ
B
DQ
B
DQ
B
DQ
B
ZZ
NC
A
DQ
B
DQ
B
NC
DQ
A
DQ
A
DQ
A
DQ
A
DQ
A
DQ
A
NC
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
A
DQ
A
DQ
A
DQP
A
A
A
A
A
CY7C1362B (512K x 18)
A0
A
2
A
3
4
5
6
7
1
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
P
R
TDO
NC / 288M
NC
NC
NC
DQP
B
NC
NC
DQ
B
DQ
B
DQ
B
DQ
B
CE
1
CE2
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
NC
BW
A
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
CE
3
CLK
V
SS
V
SS
V
SS
BW
B
NC
V
SS
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
SS
A
BWE
GW
V
SS
V
SS
A
NC
NC
MODE
NC
DQ
B
DQ
B
DQ
B
DQ
B
V
SS
NC
NC
NC
NC
NC
NC / 36M
NC / 72M
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
NC / 18M
A1
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
NC
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
A
A
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
NC
TDI
V
SS
V
SS
NC
TCK
A0
A
NC
TMS
8
9
10
A
11
A
A
ADV
ADSP
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
ADSC
OE
V
SS
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
SS
A
A
NC / 144M
DQP
A
DQ
A
NC
NC
DQ
A
DQ
A
DQ
A
ZZ
NC
A
NC
NC
NC
DQ
A
DQ
A
DQ
A
DQ
A
NC
NC
NC
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
A
NC
NC
NC
A
A
A
NC
A
相關(guān)PDF資料
PDF描述
CY7C1362B-225BZI 9-Mbit (256K x 36/512K x 18) Pipelined SRAM
CY7C1362B-200BZI 9-Mbit (256K x 36/512K x 18) Pipelined SRAM
CY7C1362B-200BZC 9-Mbit (256K x 36/512K x 18) Pipelined SRAM
CY7C1362B-200BGI 9-Mbit (256K x 36/512K x 18) Pipelined SRAM
CY7C1362B-225AJC BACKSHELL, MDR, 50WAY, METAL; For use with:Mini D Ribbon 101XX-6000 EC Plug Connectors; Material:Aluminum; Colour:Nickel; Connector type:Backshell; Ways, No. of:50 RoHS Compliant: Yes
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
CY7C1362C-166AJXC 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 512Kx18 3.3V COM Sync PL 1CD 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C1362C-166AJXCT 功能描述:IC SRAM 9MBIT 166MHZ 100LQFP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:移動(dòng) SDRAM 存儲(chǔ)容量:256M(8Mx32) 速度:133MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.95 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:90-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:90-VFBGA(8x13) 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:557-1327-2
CY7C1362C-166AXC 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:SRAM Chip Sync Dual 3.3V 9M-Bit 512K x 18 3.5ns 100-Pin TQFP
CY7C1362C-166BZC 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:
CY7C1362C-200AJXC 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 512Kx18 3.3V COM Sync PL 1CD 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray