參數(shù)資料
型號(hào): CY7C1383C-117AI
廠商: CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP
元件分類(lèi): DRAM
英文描述: 18-Mb (512K x 36/1M x 18) Flow-Through SRAM
中文描述: 1M X 18 STANDARD SRAM, 7.5 ns, PQFP100
封裝: 14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, PLASTIC, TQFP-100
文件頁(yè)數(shù): 15/36頁(yè)
文件大小: 564K
代理商: CY7C1383C-117AI
CY7C1381C
CY7C1383C
Document #: 38-05238 Rev. *B
Page 15 of 36
Read Cycle, Continue Burst
Next
H
X
X
L
X
H
L
H
L
L-H Q
Read Cycle, Continue Burst
Next
H
X
X
L
X
H
L
H
H
L-H Tri-State
Write Cycle, Continue Burst
Next
X
X
X
L
H
H
L
L
X
L-H D
Write Cycle, Continue Burst
Next
H
X
X
L
X
H
L
L
X
L-H D
Read Cycle, Suspend Burst
Current
X
X
X
L
H
H
H
H
L
L-H Q
Read Cycle, Suspend Burst
Current
X
X
X
L
H
H
H
H
H
L-H Tri-State
Read Cycle, Suspend Burst
Current
H
X
X
L
X
H
H
H
L
L-H Q
Read Cycle, Suspend Burst
Current
H
X
X
L
X
H
H
H
H
L-H Tri-State
Write Cycle, Suspend Burst
Current
X
X
X
L
H
H
H
L
X
L-H D
Write Cycle, Suspend Burst
Current
H
X
X
L
X
H
H
L
X
L-H D
Partial Truth Table for Read/Write
[3, 8]
Function (CY7C1381C)
GW
H
H
H
H
H
H
H
H
H
BWE
H
L
L
L
L
L
L
L
L
BW
D
X
H
H
H
H
H
H
H
H
BW
C
X
H
H
H
H
L
L
L
L
BW
B
X
H
H
L
L
H
H
L
L
BW
A
X
H
L
H
L
H
L
H
L
Read
Read
Write Byte A (DQ
A
, DQP
A
)
Write Byte B(DQ
B
, DQP
B
)
Write Bytes A, B (DQ
A
, DQ
B
, DQP
A
, DQP
B
)
Write Byte C (DQ
C
, DQP
C
)
Write Bytes C, A (DQ
C
, DQ
A,
DQP
C
, DQP
A
)
Write Bytes C, B (DQ
C
, DQ
B,
DQP
C
, DQP
B
)
Write Bytes C, B, A (DQ
C
, DQ
B
, DQ
A,
DQP
C
,
DQP
B
, DQP
A
)
Write Byte D (DQ
D
, DQP
D
)
Write Bytes D, A (DQ
D
, DQ
A,
DQP
D
, DQP
A
)
Write Bytes D, B (DQ
D
, DQ
A,
DQP
D
, DQP
A
)
Write Bytes D, B, A (DQ
D
, DQ
B
, DQ
A,
DQP
D
,
DQP
B
, DQP
A
)
Write Bytes D, B (DQ
D
, DQ
B,
DQP
D
, DQP
B
)
Write Bytes D, B, A (DQ
D
, DQ
C
, DQ
A,
DQP
D
,
DQP
C
, DQP
A
)
Write Bytes D, C, A ( DQ
D
, DQ
B
, DQ
A,
DQP
D
,
DQP
B
, DQP
A
)
Write All Bytes
Write All Bytes
H
H
H
H
L
L
L
L
L
L
L
L
H
H
H
H
H
H
L
L
H
L
H
L
H
H
L
L
L
L
L
L
H
H
H
L
H
L
L
L
L
H
H
L
L
X
L
X
L
X
L
X
L
X
Note:
8. Table only lists a partial listing of the byte write combinations. Any Combination of BW
X
is valid Appropriate write will be done based on which byte write is active.
Truth Table for Read/Write
[3]
Function (CY7C1383C)
GW
H
H
H
H
H
BWE
H
L
L
L
L
BW
B
X
H
H
L
L
BW
A
X
H
L
H
L
Read
Read
Write Byte A - ( DQ
A
and DQP
A
)
Write Byte B - ( DQ
B
and DQP
B
)
Write All Bytes
Truth Table
[ 3, 4, 5, 6, 7]
Cycle Description
ADDRESS
Used
CE
1
CE
2
CE
3
ZZ
ADSP
ADSC
ADV WRITE
OE
CLK
DQ
相關(guān)PDF資料
PDF描述
CY7C1383C-117BGC 18-Mb (512K x 36/1M x 18) Flow-Through SRAM
CY7C1383C-117BGI 18-Mb (512K x 36/1M x 18) Flow-Through SRAM
CY7C1383C-117BZC 18-Mb (512K x 36/1M x 18) Flow-Through SRAM
CY7C1383C-117BZI 18-Mb (512K x 36/1M x 18) Flow-Through SRAM
CY7C1381C-100BZI CAPACITOR, CHIP, CERAMIC
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
CY7C1383D-100AXC 功能描述:IC SRAM 18MBIT 100MHZ 100LQFP RoHS:是 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:96 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:閃存 存儲(chǔ)器類(lèi)型:FLASH 存儲(chǔ)容量:16M(2M x 8,1M x 16) 速度:70ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.65 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-TFSOP(0.724",18.40mm 寬) 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-TSOP 包裝:托盤(pán)
CY7C1383D-100AXCT 功能描述:IC SRAM 18MBIT 100MHZ 100LQFP RoHS:是 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類(lèi)型:移動(dòng) SDRAM 存儲(chǔ)容量:256M(8Mx32) 速度:133MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.95 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:90-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:90-VFBGA(8x13) 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱(chēng):557-1327-2
CY7C1383D-133AXC 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 1Mx18 3.3V COM Sync FT 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪(fǎng)問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C1383D-133AXCKJ 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:
CY7C1383D-133AXCT 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 1Mx18 3.3V COM Sync FT 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪(fǎng)問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray