參數(shù)資料
型號(hào)： CY7C1387DV25-225BZC
廠商： CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： SRAM
英文描述： 1M X 18 CACHE SRAM, 2.8 ns, PBGA165
封裝： 13 X 15 MM, 1.40 MM HEIGHT, FBGA-165
文件頁數(shù)： 2/32頁
文件大?。?/td> 501K
代理商： CY7C1387DV25-225BZC
PRELIMINARY
CY7C1386DV25
CY7C1387DV25
Document #: 38-05548 Rev. **
Page 10 of 32
READ Cycle, Continue Burst
Next
X
L
H
L
H
L
L-H
Q
READ Cycle, Continue Burst
Next
X
L
H
L
H
L-H
Tri-State
READ Cycle, Continue Burst
Next
H
X
L
X
H
L
H
L
L-H
Q
READ Cycle, Continue Burst
Next
H
X
L
X
H
L
H
L-H
Tri-State
WRITE Cycle, Continue Burst
Next
X
L
H
L
X
L-H
D
WRITE Cycle, Continue Burst
Next
H
X
L
X
H
L
X
L-H
D
READ Cycle, Suspend Burst
Current
X
L
H
L
L-H
Q
READ Cycle, Suspend Burst
Current
X
L
H
L-H
Tri-State
READ Cycle, Suspend Burst
Current
H
X
L
X
H
L
L-H
Q
READ Cycle, Suspend Burst
Current
H
X
L
X
H
L-H
Tri-State
WRITE Cycle, Suspend Burst
Current
X
L
H
L
X
L-H
D
WRITE Cycle, Suspend Burst
Current
H
X
L
X
H
L
X
L-H
D
Partial Truth Table for Read/Write[5, 9]
Function (CY7C1386DV25)
GW
BWE
BWD
BWC
BWB
BWA
Read
H
XXXX
Read
H
L
HHHH
Write Byte A – (DQA and DQPA)
H
L
HHH
L
Write Byte B – (DQB and DQPB)H
L
H
L
H
Write Bytes B, A
H
L
H
L
Write Byte C – (DQC and DQPC)
H
LH
H
Write Bytes C, A
H
L
H
L
H
L
Write Bytes C, B
H
L
H
L
H
Write Bytes C, B, A
H
L
H
L
Write Byte D – (DQD and DQPD)
H
L
HHH
Write Bytes D, A
H
L
H
L
Write Bytes D, B
H
L
H
L
H
Write Bytes D, B, A
H
L
H
L
Write Bytes D, C
H
L
H
Write Bytes D, C, A
H
L
H
L
Write Bytes D, C, B
H
LLLL
H
Write All Bytes
H
LLLLL
Write All Bytes
L
XXXXX
Truth Table for Read/Write[5, 9]
Function (CY7C1387DV25)
GW
BWE
BWB
BWA
Read
H
X
Read
H
L
H
Write Byte A – (DQA and DQPA)H
L
H
L
Write Byte B – (DQB and DQPB)H
L
H
Write All Bytes
H
L
Write All Bytes
L
X
Truth Table[ 3, 4, 5, 6, 7, 8] (continued)
Operation
Add. Used CE1 CE2 CE3 ZZ ADSP ADSC ADV WRITE OE CLK
DQ
相關(guān)PDF資料
PDF描述
CY7C138AV Memory
CY7C025-15JC x16 Dual-Port SRAM
CY7C0251AV-20AC x18 Dual-Port SRAM
CY7C0251AV-25AC x18 Dual-Port SRAM
CY7C025-25AC x16 Dual-Port SRAM
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
CY7C138XC 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:
CY7C139-25JC 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:
CY7C139-25JXC 功能描述:IC SRAM 36KBIT 25NS 68PLCC RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:移動(dòng) SDRAM 存儲(chǔ)容量:256M（8Mx32） 速度:133MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.95 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:90-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:90-VFBGA（8x13） 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:557-1327-2
CY7C1392CV18-200BZC 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 2Mx8 1.8V DDR II SIO 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C1392CV18-250BZC 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 2Mx8 1.8V DDR II SIO 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
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