參數(shù)資料
型號: CY7C1387DV25-225BZC
廠商: CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP
元件分類: SRAM
英文描述: 1M X 18 CACHE SRAM, 2.8 ns, PBGA165
封裝: 13 X 15 MM, 1.40 MM HEIGHT, FBGA-165
文件頁數(shù): 5/32頁
文件大小: 501K
代理商: CY7C1387DV25-225BZC
PRELIMINARY
CY7C1386DV25
CY7C1387DV25
Document #: 38-05548 Rev. **
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BYPASS
When the BYPASS instruction is loaded in the instruction
register and the TAP is placed in a Shift-DR state, the bypass
register is placed between the TDI and TDO balls. The
advantage of the BYPASS instruction is that it shortens the
boundary scan path when multiple devices are connected
together on a board.
Reserved
These instructions are not implemented but are reserved for
future use. Do not use these instructions.
TAP Timing
t
TL
Test Clock
(TCK)
123456
Test Mode Select
(TMS)
tTH
Test Data-Out
(TDO)
tCYC
Test Data-In
(TDI)
tTMSH
tTMSS
tTDIH
tTDIS
tTDOX
tTDOV
DON’T CARE
UNDEFINED
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PDF描述
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CY7C1392CV18-200BZC 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 2Mx8 1.8V DDR II SIO 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C1392CV18-250BZC 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 2Mx8 1.8V DDR II SIO 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray