型號: | CY7C1411BV18 |
廠商: | Cypress Semiconductor Corp. |
英文描述: | 36-Mbit QDR⑩-II SRAM 4-Word Burst Architecture |
中文描述: | 36兆位的國防評估報告⑩- II SRAM的4字突發(fā)結構 |
文件頁數(shù): | 5/28頁 |
文件大?。?/td> | 1644K |
代理商: | CY7C1411BV18 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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CY7C1415BV18 | 36-Mbit QDR⑩-II SRAM 4-Word Burst Architecture |
CY7C145 | 8K x 8 Dual-Port Static RAM(8K x 8 雙端口靜態(tài) RAM) |
CY7C144 | 8K x 9 Dual-Port Static RAM(8K x 9 雙端口靜態(tài) RAM) |
CY7C146-25JC | 2Kx8 Dual-Port Static RAM |
CY7C146-30JC | 2Kx8 Dual-Port Static RAM |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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CY7C1411BV18-250BZC | 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 1Mx36 QDR II Burst 4 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
CY7C1411KV18-250BZC | 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 36Mb QDR II 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
CY7C1411KV18-300BZC | 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 36MB (4Mx8) 1.8v 300MHz QDR II 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
CY7C1411SC | 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述: |
CY7C1411SV18-250BZC | 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 NV靜態(tài)隨機存取存儲器 250 MHz 1.8V RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |