參數(shù)資料
型號(hào)： CY7C1412BV18-167BZI
廠商： CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： DRAM
英文描述： 36-Mbit QDR-II⑩ SRAM 2-Word Burst Architecture
中文描述： 2M X 18 QDR SRAM, 0.5 ns, PBGA165
封裝： 15 X 17 MM, 1.40 MM HEIGHT, MO-216, FBGA-165
文件頁(yè)數(shù)： 17/26頁(yè)
文件大小： 1072K
代理商： CY7C1412BV18-167BZI
PRELIMINARY
CY7C1410BV18
CY7C1425BV18
CY7C1412BV18
CY7C1414BV18
Document #: 001-07036 Rev. *B
Page 17 of 26
Identification Register Definitions
Instruction Field
Revision Number
(31:29)
Cypress Device ID
(28:12)
Cypress JEDEC ID
(11:1)
Value
Description
Version number.
CY7C1410BV18
001
CY7C1425BV18
001
CY7C1412BV18
001
CY7C1414BV18
001
11010011010000111 11010011010001111 11010011010010111 11010011010100111 Defines the type of
SRAM.
Unique identifi-
cation of SRAM
vendor.
Indicates the
presence of an ID
register.
00000110100
00000110100
00000110100
00000110100
ID Register Presence
(0)
1
1
1
1
Scan Register Sizes
Register Name
Instruction
Bypass
ID
Boundary Scan Cells
Bit Size
3
1
32
109
Instruction Codes
Instruction
Code
000
001
Description
EXTEST
IDCODE
Captures the Input/Output ring contents.
Loads the ID register with the vendor ID code and places the register between TDI
and TDO. This operation does not affect SRAM operation.
Captures the Input/Output contents. Places the boundary scan register between
TDI and TDO. Forces all SRAM output drivers to a High-Z state.
Do Not Use: This instruction is reserved for future use.
Captures the Input/Output ring contents. Places the boundary scan register
between TDI and TDO. Does not affect the SRAM operation.
Do Not Use: This instruction is reserved for future use.
Do Not Use: This instruction is reserved for future use.
Places the bypass register between TDI and TDO. This operation does not affect
SRAM operation.
SAMPLE Z
010
RESERVED
SAMPLE/PRELOAD
011
100
RESERVED
RESERVED
BYPASS
101
110
111
[+] Feedback
相關(guān)PDF資料
PDF描述
CY7C1412BV18-167BZXI 36-Mbit QDR-II⑩ SRAM 2-Word Burst Architecture
CY7C1414BV18 36-Mbit QDR-II⑩ SRAM 2-Word Burst Architecture
CY7C1414BV18-167BZI 36-Mbit QDR-II⑩ SRAM 2-Word Burst Architecture
CY7C1414BV18-167BZXI 36-Mbit QDR-II⑩ SRAM 2-Word Burst Architecture
CY7C1411AV18-167BZC 36-Mbit QDR⑩-II SRAM 4-Word Burst Architecture
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
CY7C1412BV18-167BZXI 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 2Mx18 QDR II Burst 2 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C1412BV18-200BZC 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 2Mx18 QDR II Burst 2 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C1412BV18-200BZI 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 2Mx18 QDR-II Burst 2 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C1412BV18-200BZXC 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 2Mx18 QDR-II Burst 2 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C1412BV18-200BZXI 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:
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