參數(shù)資料
型號： CY7C1412BV18-167BZXI
廠商： CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： DRAM
英文描述： 36-Mbit QDR-II⑩ SRAM 2-Word Burst Architecture
中文描述： 2M X 18 QDR SRAM, 0.5 ns, PBGA165
封裝： 15 X 17 MM, 1.40 MM HEIGHT, LEAD FREE, MO-216, FBGA-165
文件頁數(shù)： 2/26頁
文件大?。?/td> 1072K
代理商： CY7C1412BV18-167BZXI
PRELIMINARY
CY7C1410BV18
CY7C1425BV18
CY7C1412BV18
CY7C1414BV18
Document #: 001-07036 Rev. *B
Page 2 of 26
Logic Block Diagram (CY7C1410BV18)
CLK
Gen.
A
(20:0)
K
K
Control
Logic
Address
Register
D
[7:0]
R
Read Data Reg.
RPS
WPS
NWS
[1:0]
Q
[7:0]
Control
Logic
Address
Register
Reg.
Reg.
Reg.
8
21
8
16
8
V
REF
W
8
A
(20:0)
21
C
C
8
2
2
Write
Reg
Write
Reg
CQ
CQ
8
DOFF
Logic Block Diagram (CY7C1425BV18)
CLK
Gen.
A
(20:0)
K
K
Control
Logic
Address
Register
D
[8:0]
R
Read Data Reg.
RPS
WPS
BWS
[0]
Q
[8:0]
Control
Logic
Address
Register
Reg.
Reg.
Reg.
9
21
9
18
9
V
REF
W
9
A
(20:0)
21
C
C
9
2
2
Write
Reg
Write
Reg
CQ
CQ
9
DOFF
[+] Feedback
相關PDF資料
PDF描述
CY7C1414BV18 36-Mbit QDR-II⑩ SRAM 2-Word Burst Architecture
CY7C1414BV18-167BZI 36-Mbit QDR-II⑩ SRAM 2-Word Burst Architecture
CY7C1414BV18-167BZXI 36-Mbit QDR-II⑩ SRAM 2-Word Burst Architecture
CY7C1411AV18-167BZC 36-Mbit QDR⑩-II SRAM 4-Word Burst Architecture
CY7C1411AV18-278BZC 36-Mbit QDR⑩-II SRAM 4-Word Burst Architecture
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
CY7C1412BV18-200BZC 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 2Mx18 QDR II Burst 2 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C1412BV18-200BZI 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 2Mx18 QDR-II Burst 2 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C1412BV18-200BZXC 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 2Mx18 QDR-II Burst 2 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C1412BV18-200BZXI 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:
CY7C1412BV18-250BZC 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 2Mx18 QDR II Burst 2 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*