參數(shù)資料
型號(hào)： CY7C1412BV18-167BZXI
廠商： CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： DRAM
英文描述： 36-Mbit QDR-II⑩ SRAM 2-Word Burst Architecture
中文描述： 2M X 18 QDR SRAM, 0.5 ns, PBGA165
封裝： 15 X 17 MM, 1.40 MM HEIGHT, LEAD FREE, MO-216, FBGA-165
文件頁數(shù)： 3/26頁
文件大小： 1072K
代理商： CY7C1412BV18-167BZXI
PRELIMINARY
CY7C1410BV18
CY7C1425BV18
CY7C1412BV18
CY7C1414BV18
Document #: 001-07036 Rev. *B
Page 3 of 26
Logic Block Diagram (CY7C1412BV18)
CLK
Gen.
A
(19:0)
K
K
Control
Logic
Address
Register
D
[17:0]
R
Read Data Reg.
RPS
WPS
BWS
[1:0]
Q
[17:0]
Control
Logic
Address
Register
Reg.
Reg.
Reg.
18
20
18
36
18
V
REF
W
18
A
(19:0)
20
C
C
18
1
1
Write
Reg
Write
Reg
CQ
CQ
18
DOFF
Logic Block Diagram (CY7C1414BV18)
CLK
Gen.
A
(18:0)
K
K
Control
Logic
Address
Register
D
[35:0]
R
Read Data Reg.
RPS
WPS
BWS
[3:0]
Q
[35:0]
Control
Logic
Address
Register
Reg.
Reg.
Reg.
36
19
36
72
36
V
REF
W
36
A
(18:0)
19
C
C
36
5
5
Write
Reg
Write
Reg
CQ
CQ
36
DOFF
[+] Feedback
相關(guān)PDF資料
PDF描述
CY7C1414BV18 36-Mbit QDR-II⑩ SRAM 2-Word Burst Architecture
CY7C1414BV18-167BZI 36-Mbit QDR-II⑩ SRAM 2-Word Burst Architecture
CY7C1414BV18-167BZXI 36-Mbit QDR-II⑩ SRAM 2-Word Burst Architecture
CY7C1411AV18-167BZC 36-Mbit QDR⑩-II SRAM 4-Word Burst Architecture
CY7C1411AV18-278BZC 36-Mbit QDR⑩-II SRAM 4-Word Burst Architecture
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
CY7C1412BV18-200BZC 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 2Mx18 QDR II Burst 2 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C1412BV18-200BZI 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 2Mx18 QDR-II Burst 2 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C1412BV18-200BZXC 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 2Mx18 QDR-II Burst 2 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C1412BV18-200BZXI 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:
CY7C1412BV18-250BZC 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 2Mx18 QDR II Burst 2 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
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