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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | CY7C1413AV18-300BZXI |
| 廠商： | CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 36-Mbit QDR⑩-II SRAM 4-Word Burst Architecture |
| 中文描述： | 2M X 18 QDR SRAM, 0.45 ns, PBGA165 |
| 封裝： | 15 X 17 MM, 1.40 MM HEIGHT, LEAD FREE, MO-216, FBGA-165 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 24/28頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 1143K |
| 代理商： | CY7C1413AV18-300BZXI |
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CY7C1411AV18
CY7C1426AV18
CY7C1413AV18
CY7C1415AV18
Document Number: 38-05614 Rev. *C
Page 24 of 28
Switching Waveforms
[30, 31, 32]
Read/Write/Deselect Sequence
Notes:
30.Q00 refers to output from address A0. Q01 refers to output from the next internal burst address following A0, i.e., A0+1.
31.Output are disabled (High-Z) one clock cycle after a NOP.
32.In this example, if address A2 = A1,then data Q20 = D10 and Q21 = D11. Write data is forwarded immediately as read results. This note applies to the whole diagram.
K
1
2
3
4
5
6
7
RPS
WPS
A
Q
D
C
C
READ
READ
WRITE
WRITE
NOP
NOP
DON’T CARE
UNDEFINED
CQ
CQ
K
A0
A1
tKH
tKHKH
tKL
tCYC
t
tHC
tSA
tHA
A2
SC
t
tHC
SC
A3
tKHCH
tKHCH
tCQD
tCLZ
DOH
tCHZ
t
t
tKL
tCYC
tCCQO
tCCQO
tCQOH
tCQOH
KHKH
KH
Q00
Q03
Q01
Q02
Q20
Q23
Q21
Q22
tCO
tCQDOH
t
D10
D11
D12
D13
tSD
tHD
tSD
tHD
D30
D31
D32
D33
[+] Feedback
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CY7C1415AV18-167BZC | 36-Mbit QDR⑩-II SRAM 4-Word Burst Architecture |
| CY7C1415AV18-167BZI | 36-Mbit QDR⑩-II SRAM 4-Word Burst Architecture |
| CY7C1415AV18-167BZXC | 36-Mbit QDR⑩-II SRAM 4-Word Burst Architecture |
| CY7C1415AV18-167BZXI | 36-Mbit QDR⑩-II SRAM 4-Word Burst Architecture |
| CY7C1415AV18-200BZC | 36-Mbit QDR⑩-II SRAM 4-Word Burst Architecture |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| CY7C1413BV18-200BZC | 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 2Mx18 QDR II Burst 4 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| CY7C1413BV18-250BZC | 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 2Mx18 QDR II Burst 4 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| CY7C1413JV18-200BZXI | 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 2Mx18 QDR-II BURST 4 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| CY7C1413JV18-250BZI | 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 2Mx18 QDR-II Burst 4 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| CY7C1413JV18-250BZXC | 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 36-Mbit QDR 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 4-Word Burst RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
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