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參數(shù)資料
| 型號： | CY7C1414BV18-167BZXI |
| 廠商： | CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 36-Mbit QDR-II⑩ SRAM 2-Word Burst Architecture |
| 中文描述： | 1M X 36 QDR SRAM, 0.5 ns, PBGA165 |
| 封裝： | 15 X 17 MM, 1.40 MM HEIGHT, LEAD FREE, MO-216, FBGA-165 |
| 文件頁數(shù)： | 5/26頁 |
| 文件大小： | 1072K |
| 代理商： | CY7C1414BV18-167BZXI |
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PRELIMINARY
CY7C1410BV18
CY7C1425BV18
CY7C1412BV18
CY7C1414BV18
Document #: 001-07036 Rev. *B
Page 5 of 26
Pin Configurations
(continued)
CY7C1412BV18 (2M x 18)
5
BWS
1
WPS
A
NC
V
SS
A
V
SS
V
SS
V
DDQ
V
SS
V
DDQ
V
DD
V
DDQ
V
DD
V
DDQ
V
DDQ
V
DD
V
DD
V
DDQ
V
DDQ
V
SS
V
SS
V
SS
A
V
SS
A
A
A
A
2
3
A
D9
D10
Q10
Q11
D12
Q13
4
6
K
K
A
7
1
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
P
R
A
CQ
NC
NC
NC
NC
NC
NC
DOFF
NC
NC
NC
NC
NC/144M
Q9
NC
D11
NC/288M
BWS
0
A
V
SS
NC
NC
TDO
NC
Q12
D13
V
REF
NC
Q15
NC
D17
NC
TCK
NC
V
SS
V
SS
V
SS
V
DD
V
DD
V
DD
A
C
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
DD
V
SS
V
DDQ
D14
Q14
D15
D16
Q16
Q17
A
V
DD
V
SS
A
A
C
V
DD
8
9
A
10
11
CQ
Q8
D8
D7
Q0
NC/72M
NC
Q7
NC
D6
RPS
A
V
SS
V
SS
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
SS
V
SS
A
A
NC
NC
NC
NC
NC
NC
Q6
Q5
D5
ZQ
NC
D0
NC
NC
V
REF
Q4
D3
NC
Q1
Q3
Q2
V
DDQ
NC
NC
NC
NC
NC
NC
D4
D2
D1
TDI
TMS
A
165-ball FBGA (15 x 17 x 1.4 mm) Pinout
2
3
4
5
6
K
7
1
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
P
R
A
CQ
Q27
D27
D28
Q29
D34
Q35
DOFF
D31
Q32
Q33
D33
NC/288M
Q18
Q28
D20
NC/72M
D18
D19
Q19
Q20
D21
Q22
BWS
2
BWS
3
A
V
SS
V
SS
V
DD
V
DD
WPS
A
V
SS
V
SS
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
SS
V
SS
A
A
BWS
1
BWS
0
A
V
SS
Q30
D30
TDO
D29
Q21
D22
V
REF
D32
Q24
Q34
D26
Q31
TCK
D35
K
A
V
SS
V
SS
V
SS
V
DD
V
DD
V
DD
A
C
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
DD
V
SS
V
DDQ
D23
Q23
D24
D25
Q25
Q26
A
V
DD
V
DD
V
DD
V
SS
V
SS
A
A
V
DD
V
SS
A
A
C
A
8
9
A
10
11
CQ
Q8
D8
D7
Q0
NC/144M
Q17
Q7
D15
D6
RPS
A
V
SS
V
SS
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
SS
V
SS
A
A
D17
D16
Q16
Q15
D14
Q13
Q6
Q5
D5
ZQ
D9
D0
Q14
D13
V
REF
Q4
D3
Q11
Q1
Q3
Q2
VDDQ
D12
Q12
D11
D10
Q10
Q9
D4
D2
D1
TDI
TMS
A
CY7C1414BV18 (1M x 36)
[+] Feedback
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CY7C1411AV18-167BZC | 36-Mbit QDR⑩-II SRAM 4-Word Burst Architecture |
| CY7C1411AV18-278BZC | 36-Mbit QDR⑩-II SRAM 4-Word Burst Architecture |
| CY7C1411AV18-278BZI | 36-Mbit QDR⑩-II SRAM 4-Word Burst Architecture |
| CY7C1411AV18-278BZXC | 36-Mbit QDR⑩-II SRAM 4-Word Burst Architecture |
| CY7C1411AV18-278BZXI | 36-Mbit QDR⑩-II SRAM 4-Word Burst Architecture |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| CY7C1414BV18-200BZC | 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 1Mx36 QDR II Burst 2 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| CY7C1414BV18-200BZI | 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 1Mx36 QDR II Burst 2 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| CY7C1414BV18-200BZXI | 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 1Mx36 QDR II Burst 2 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| CY7C1414BV18-250BZC | 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 1Mx36 QDR II Burst 2 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| CY7C1414BV18-250BZXI | 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 36-Mbit QDR-II 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
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