型號: | CY7C1414BV18 |
廠商: | Cypress Semiconductor Corp. |
英文描述: | 36-Mbit QDR-II⑩ SRAM 2-Word Burst Architecture |
中文描述: | 的36 - Mbit QDR - II型⑩SRAM的2字突發(fā)結(jié)構(gòu) |
文件頁數(shù): | 14/26頁 |
文件大?。?/td> | 1072K |
代理商: | CY7C1414BV18 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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CY7C1414BV18-167BZI | 36-Mbit QDR-II⑩ SRAM 2-Word Burst Architecture |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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CY7C1414BV18-200BZC | 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 1Mx36 QDR II Burst 2 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
CY7C1414BV18-200BZI | 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 1Mx36 QDR II Burst 2 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
CY7C1414BV18-200BZXI | 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 1Mx36 QDR II Burst 2 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
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