參數(shù)資料
型號(hào)： CY7C1470V33-167BZXC
廠商： CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP
元件分類(lèi)： DRAM
英文描述： ECONOLINE: RQS & RQD - 1kVDC Isolation- Internal SMD Construction- UL94V-0 Package Material- Toroidal Magnetics- Efficiency to 80%
中文描述： 2M X 36 ZBT SRAM, 3.4 ns, PBGA165
封裝： 15 X 17 MM, 1.40 MM HEIGHT, LEAD FREE, FBGA-165
文件頁(yè)數(shù)： 9/27頁(yè)
文件大小： 382K
代理商： CY7C1470V33-167BZXC
PRELIMINARY
CY7C1470V25
CY7C1472V25
CY7C1474V25
Document #: 38-05290 Rev. *E
Page 9 of 27
Write Abort (Continue Burst)
Ignore Clock Edge (Stall)
Sleep Mode
Next
Current
None
X
X
X
L
L
H
H
X
X
X
X
X
H
X
X
X
X
X
L
H
X
L-H
L-H
X
Three-State
–
Three-State
Truth Table
(continued)
[1, 2, 3, 4, 5, 6, 7]
Operation
Address
Used
CE
ZZ
ADV/LD
WE
BW
x
OE
CEN
CLK
DQ
Partial Write Cycle Description
[1, 2, 3, 8]
Function (CY7C1470V25)
WE
H
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
BW
d
X
H
H
H
H
H
H
H
H
L
L
L
L
L
L
L
L
BW
c
X
H
H
H
H
L
L
LL
L
H
H
H
H
L
L
L
L
BW
b
X
H
H
L
L
H
H
L
L
H
H
L
L
H
H
L
L
BW
a
X
H
L
H
L
H
L
H
L
H
L
H
L
H
L
H
L
Read
Write – No bytes written
Write Byte a – (DQ
a
and
DQP
a
)
Write Byte b – (DQ
b
and
DQP
b
)
Write Bytes b, a
Write Byte c – (DQ
c
and
DQP
c
)
Write Bytes c, a
Write Bytes c, b
Write Bytes c, b, a
Write Byte d – (DQ
d
and
DQP
d
)
Write Bytes d, a
Write Bytes d, b
Write Bytes d, b, a
Write Bytes d, c
Write Bytes d, c, a
Write Bytes d, c, b
Write All Bytes
Function (CY7C1472A33)
WE
H
L
L
L
L
BW
b
x
H
H
L
L
BW
a
x
H
L
H
L
Read
Write – No Bytes Written
Write Byte a – (DQ
a
and
DQP
a
)
Write Byte b – (DQ
b
and
DQP
b
)
Write Both Bytes
Function (CY7C1474V25)
WE
H
L
L
L
BW
x
x
H
L
Read
Write – No Bytes Written
Write Byte X
(DQ
x
and
DQP
x)
Write All Bytes
All BW = L
Note:
8. Table only lists a partial listing of the Byte Write combinations. Any combination of BW
[a:d]
is valid. Appropriate Write will be done based on which Byte Write is
active.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
CY7C1470V33-167BZXI RS-S_D(Z) Series - Econoline Regulated DC-DC Converters; Input Voltage (Vdc): 05V; Output Voltage (Vdc): 05V; Power: 2W; 2:1 and 4:1 Wide Input Voltage Ranges; 1kVDC, 2kVD & 3kVDC Isolation; UL94V-0 Package Material; Continuous Short Circuit Protection; Low Noise; No External Capacitor needed; Efficiency to 83%
CY7C1470V25-200BZXC 72-Mbit(2M x 36/4M x 18/1M x 72) Pipelined SRAM with NoBL⑩ Architecture
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CY7C1470V33-167AXI 72-Mbit (2M x 36/4M x 18/1M x 72) Pipelined SRAM with NoBL Architecture
CY7C1470V33-167BZC 72-Mbit (2M x 36/4M x 18/1M x 72) Pipelined SRAM with NoBL Architecture
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參數(shù)描述
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CY7C1470V33-200AC 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:SRAM SYNC QUAD 3.3V 72MBIT 2MX36 3NS 100TQFP - Bulk
CY7C1470V33-200ACES 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:72MB (2M X 36) NOBL PIPELINE 3.3V I/O - ENG SAMPLES - Bulk 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:
CY7C1470V33-200AXC 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 72MB (2Mx36) 3.3v 200MHz 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪(fǎng)問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C1470V33-200AXCT 功能描述:IC SRAM 72MBIT 200MHZ 100LQFP RoHS:是 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:NoBL™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類(lèi)型:移動(dòng) SDRAM 存儲(chǔ)容量:256M（8Mx32） 速度:133MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.95 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:90-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:90-VFBGA（8x13） 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱(chēng):557-1327-2
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