參數(shù)資料
型號(hào)： CY7C1512V18-278BZC
廠商： CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： DRAM
英文描述： 72-Mbit QDR-II⑩ SRAM 2-Word Burst Architecture
中文描述： 4M X 18 QDR SRAM, PBGA165
封裝： 15 X 17 MM, 1.40 MM HEIGHT, MO-216, FBGA-165
文件頁(yè)數(shù)： 24/27頁(yè)
文件大小： 458K
代理商： CY7C1512V18-278BZC
CY7C1510V18
CY7C1525V18
CY7C1512V18
CY7C1514V18
Document #: 38-05489 Rev. *D
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Diagram
167
CY7C1510V18-167BZC
51-85195 165-ball Fine Pitch Ball Grid Array (15 x 17 x 1.4 mm)
CY7C1525V18-167BZC
CY7C1512V18-167BZC
CY7C1514V18-167BZC
CY7C1510V18-167BZXC
51-85195 165-ball Fine Pitch Ball Grid Array (15 x 17 x 1.4 mm) Lead-Free
CY7C1525V18-167BZXC
CY7C1512V18-167BZXC
CY7C1514V18-167BZXC
CY7C1510V18-167BZI
51-85195 165-ball Fine Pitch Ball Grid Array (15 x 17 x 1.4 mm)
CY7C1525V18-167BZI
CY7C1512V18-167BZI
CY7C1514V18-167BZI
CY7C1510V18-167BZXI
51-85195 165-ball Fine Pitch Ball Grid Array (15 x 17 x 1.4 mm) Lead-Free
CY7C1525V18-167BZXI
CY7C1512V18-167BZXI
CY7C1514V18-167BZXI
200
CY7C1510V18-200BZC
51-85195 165-ball Fine Pitch Ball Grid Array (15 x 17 x 1.4 mm)
CY7C1525V18-200BZC
CY7C1512V18-200BZC
CY7C1514V18-200BZC
CY7C1510V18-200BZXC
51-85195 165-ball Fine Pitch Ball Grid Array (15 x 17 x 1.4 mm) Lead-Free
CY7C1525V18-200BZXC
CY7C1512V18-200BZXC
CY7C1514V18-200BZXC
CY7C1510V18-200BZI
51-85195 165-ball Fine Pitch Ball Grid Array (15 x 17 x 1.4 mm)
CY7C1525V18-200BZI
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51-85195 165-ball Fine Pitch Ball Grid Array (15 x 17 x 1.4 mm) Lead-Free
CY7C1525V18-200BZXI
CY7C1512V18-200BZXI
CY7C1514V18-200BZXI
250
CY7C1510V18-250BZC
51-85195 165-ball Fine Pitch Ball Grid Array (15 x 17 x 1.4 mm)
CY7C1525V18-250BZC
CY7C1512V18-250BZC
CY7C1514V18-250BZC
CY7C1510V18-250BZXC
51-85195 165-ball Fine Pitch Ball Grid Array (15 x 17 x 1.4 mm) Lead-Free
CY7C1525V18-250BZXC
CY7C1512V18-250BZXC
CY7C1514V18-250BZXC
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
CY7C1512V18-278BZI 72-Mbit QDR-II⑩ SRAM 2-Word Burst Architecture
CY7C1512V18-278BZXC 72-Mbit QDR-II⑩ SRAM 2-Word Burst Architecture
CY7C1512V18-278BZXI 72-Mbit QDR-II⑩ SRAM 2-Word Burst Architecture
CY7C1512V18-300BZC 72-Mbit QDR-II⑩ SRAM 2-Word Burst Architecture
CY7C1512V18-300BZI 72-Mbit QDR-II⑩ SRAM 2-Word Burst Architecture
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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CY7C1512YC 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:
CY7C1513AV18-167BZC 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 4M x 18 1.8V QDR II 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C1513AV18-200BZC 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 4M x 18 1.8V QDR II 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C1513AV18-200BZI 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 4Mx18 1.8V QDR-II (4-Word Burst) RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
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