參數(shù)資料
型號: CY7C1612KV18-333BZXC
廠商: CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP
元件分類: SRAM
英文描述: 8M X 18 QDR SRAM, PBGA165
封裝: 15 X 17 MM, 1.40 MM HEIGHT, LEAD FREE, FBGA-165
文件頁數(shù): 2/8頁
文件大?。?/td> 340K
代理商: CY7C1612KV18-333BZXC
ADVANCE
INFORMATION
CY7C1610KV18, CY7C1625KV18
CY7C1612KV18, CY7C1614KV18
Document #: 001-16238 Rev. **
Page 2 of 8
Overview
Figure 1. Logic Block Diagram (CY7C1610KV18)
Figure 2. Logic Block Diagram (CY7C1625KV18)
CLK
A(22:0)
Gen.
K
Control
Logic
Address
Register
D[7:0]
R
ead
Add.
Decode
Read Data Reg.
RPS
WPS
Q[7:0]
Control
Logic
Address
Register
Reg.
8
23
8
16
8
NWS[1:0]
VREF
W
rite
Add.
Decode
8
A(22:0)
23
C
8
8M
x
8
Array
8M
x
8
A
rray
Write
Reg
Write
Reg
CQ
8
DOFF
Block Diagram
CLK
A(22:0)
Gen.
K
Control
Logic
Address
Register
D[8:0]
R
ead
Add.
De
code
Read Data Reg.
RPS
WPS
Q[8:0]
Control
Logic
Address
Register
Reg.
9
23
9
18
9
BWS[0]
VREF
W
rite
Add.
De
code
9
A(22:0)
23
C
9
8M
x
9
A
rray
8M
x
9
A
rray
Write
Reg
Write
Reg
CQ
9
DOFF
Block Diagram
相關(guān)PDF資料
PDF描述
CY7C256-45PC 32K X 8 OTPROM, 45 ns, PDIP28
CY7C2561KV18-450BZC 8M X 8 QDR SRAM, 0.37 ns, PBGA165
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CY7C474-15DI 32K X 9 OTHER FIFO, 15 ns, CDIP28
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參數(shù)描述
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CY7C1613KV18-300BZXC 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 CY7C1613KV18-300BZXC RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C1613KV18-333BZXC 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 CY7C1613KV18-333BZXC RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray