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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | CY7C188-35VC |
| 廠商： | CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | SRAM |
| 英文描述： | 32K X 9 STANDARD SRAM, 35 ns, PDSO32 |
| 封裝： | 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-32 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 3/8頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 141K |
| 代理商： | CY7C188-35VC |
CY7C188
Document #: 38-05053 Rev. **
Page 3 of 8
AC Test Loads and Waveforms[5, 6]
3.0V
5V
OUTPUT
R1 481
R2
255
30 pF
INCLUDING
JIGAND
SCOPE
GND
90%
10%
90%
10%
≤ 3ns
≤ 3 ns
5V
OUTPUT
R1 481
R2
255
5pF
INCLUDING
JIGAND
SCOPE
(a)
(b)
OUTPUT
1.73V
Equivalent to:
TH VENIN EQUIVALENT
ALLINPUTPULSES
C188–3
C188–4
167
Switching Characteristics Over the Operating Range[2, 5]
7C188–15
7C188–20
7C188–25
7C188–35
Parameter
Description
Min.
Max.
Min.
Max.
Min.
Max.
Min.
Max.
Unit
READ CYCLE
tRC
Read Cycle Time
15
20
25
35
ns
tAA
Address to Data Valid
15
20
25
35
ns
tOHA
Data Hold from Address Change
3
ns
tACE
CE1 LOW or CE2 HIGH to Data Valid
15
20
25
35
ns
tDOE
OE LOW to Data Valid
7
9
10
16
ns
tLZOE
OE LOW to Low Z[7]
0
3
ns
tHZOE
OE HIGH to High Z[6,7]
7
9
11
15
ns
tLZCE
CE1 LOW or CE2 HIGH to Low Z
[7]
3
ns
tHZCE
CE1 HIGH or CE2 LOW to High Z
[6, 7]
7
9
11
15
ns
tPU
CE1 LOW or CE2 HIGH to Power-Up
0
ns
tPD
CE1 HIGH or CE2 LOW to Power-Down
15
20
ns
WRITE CYCLE[8, 9]
tWC
Write Cycle Time
15
20
25
35
ns
tSCE
CE1 LOW or CE2 HIGH to Write End
10
15
18
22
ns
tAW
Address Set-Up to Write End
10
15
20
30
ns
tHA
Address Hold from Write End
0
ns
tSA
Address Set-Up to Write Start
0
ns
tPWE
WE Pulse Width
10
15
18
22
ns
tSD
Data Set-Up to Write End
8
10
15
ns
tHD
Data Hold from Write End
0
ns
tHZWE
WE LOW to High Z[6]
0
7
0
7
0
11
0
15
ns
tLZWE
WE HIGH to Low Z[6, 7]
3
ns
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CY7C292A-25DI | 2K X 8 OTPROM, 25 ns, CDIP24 |
| CY7C43663-12AI | 4K X 36 OTHER FIFO, 9 ns, PQFP128 |
| CY8C3444AXI-116 | MULTIFUNCTION PERIPHERAL, PQFP100 |
| CY8C5386AXI-081 | MULTIFUNCTION PERIPHERAL, PQFP100 |
| CYD18S72AV-133BBI | 256K X 72 DUAL-PORT SRAM, 5.5 ns, PBGA484 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| CY7C188-35VCT | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:256K (32K X 9)- FAST ASYNCH SRAM - Tape and Reel |
| CY7C1911JV18-300BZC | 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 18M QDRII 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 B4 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| CY7C1911KV18-250BZC | 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 18Mb 1.8V 2Mb x 9 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| CY7C1911KV18-250BZCT | 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 18Mb 1.8V 2Mb x 9 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| CY7C1911KV18-250BZXC | 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 18Mb 1.8V 2Mb x 9 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
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