- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄376504 > D1022UK Gold Metallised Multi-Purpose Silicon DMOS RF FET(100W-28V-500MHz,Push-Pull)(鍍金多用DMOS射頻硅場(chǎng)效應(yīng)管(100W-28V-500MHz,推挽式)) PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | D1022UK |
| 英文描述： | Gold Metallised Multi-Purpose Silicon DMOS RF FET(100W-28V-500MHz,Push-Pull)(鍍金多用DMOS射頻硅場(chǎng)效應(yīng)管(100W-28V-500MHz,推挽式)) |
| 中文描述： | 金鍍金屬多功能硅的DMOS射頻場(chǎng)效應(yīng)管（功率100W - 28V的- 500MHz的，推挽式）（鍍金多用的DMOS射頻硅場(chǎng)效應(yīng)管（功率100W - 28V的- 500MHz的，推挽式）） |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 3/4頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 54K |
| 代理商： | D1022UK |
D1022UK
Prelim.11/00
Semelab plc.
Telephone +44(0)1455 556565. Fax +44(0)1455 552612.
E-mail:
sales@semelab.co.uk
http://www.semelab.co.uk !"
#$%
!
Figure 1
Power Output and Efficiency vs. Input
Figure 2
Power Output and Gain vs. Input Power
OPTIMUM SOURCE AND LOAD IMPEDANCE
Frequency
MHz
500
Z
S
W
Z
L
W
2.0 - j2.2
2.6 - j0.6
N.B. Impedances measured terminal to
terminal
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| D1022 | METAL GATE RF SILICON FET |
| D1022UK | METAL GATE RF SILICON FET |
| D1023UK | Gold Metallised Multi-Purpose Silicon DMOS RF FET(60W-28V-175MHz,Single Ended)(鍍金多用DMOS射頻硅場(chǎng)效應(yīng)管(60W-28V-500MHz,單端式)) |
| D1023 | METAL GATE RF SILICON FET |
| D1023UK | METAL GATE RF SILICON FET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| D1023 | 制造商:SEME-LAB 制造商全稱:Seme LAB 功能描述:METAL GATE RF SILICON FET |
| D10236-55G3JC | 制造商:3M 制造商全稱:3M Electronics 功能描述:3M Mini D Ribbon (MDR) Connectors |
| D10236-55G3JL | 制造商:3M 制造商全稱:3M Electronics 功能描述:3M Mini D Ribbon (MDR) Connectors |
| D1023655G3PC | 制造商:3M 制造商全稱:3M Electronics 功能描述:3M Mini D Ribbon (MDR) Connectors |
| D10236-55G3PC | 制造商:3M 制造商全稱:3M Electronics 功能描述:3M Mini D Ribbon (MDR) Connectors |
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。