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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | D1027UK |
| 英文描述： | Gold Metallised Multi-Purpose Silicon DMOS RF FET(150W-28V-175MHz,Push-Pull)(鍍金多用DMOS射頻硅場(chǎng)效應(yīng)管(150W-28V-175MHz,推挽式)) |
| 中文描述： | 金鍍金屬多功能硅的DMOS射頻場(chǎng)效應(yīng)管（功率150W - 28V的- 175MHz時(shí)，推挽式）（鍍金多用的DMOS射頻硅場(chǎng)效應(yīng)管（功率150W - 28V的- 175MHz時(shí)，推挽式）） |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 1/6頁(yè) |
| 文件大小： | 124K |
| 代理商： | D1027UK |
D1027UK
Prelim. 2/00
Semelab plc.
Telephone +44(0)1455 556565. Fax +44(0)1455 552612.
E-mail:
sales@semelab.co.uk
http://www.semelab.co.ukDIM
A
B
C
D
E
Millimetres
19.05
10.77
45°
9.78
5.71
27.94
1.52R
10.16
22.22
0.13
2.72
1.70
5.08
34.03
1.57R
Tol.
0.50
0.13
5°
0.13
0.13
0.13
0.13
0.13
MAX
0.02
0.13
0.13
0.50
0.13
0.08
Inches
0.75
0.424
45°
0.385
0.225
1.100
0.060R
0.400
0.875
0.005
0.107
0.067
0.200
1.340
0.062R
Tol.
0.020
0.005
5°
0.005
0.005
0.005
0.005
0.005
MAX
0.001
0.005
0.005
0.020
0.005
0.003
F
G
H
I
J
K
M
N
O
P
P
D
BV
DSS
BV
GSS
I
D(sat)
T
stg
T
j
Power Dissipation
Drain – Source Breakdown Voltage
Gate – Source Breakdown Voltage
Drain Current
Storage Temperature
Maximum Operating Junction Temperature
438W
70V
±20V
30A
–65 to 150°C
200°C
MECHANICAL DATA
M
K
J
I
O
N
A
C
(2 pls)
D
F
E
(4 pls)
B
G
(typ)
P
(2 pls)
1
5
4
3
2
H
GOLD METALLISED
MULTI-PURPOSE SILICON
DMOS RF FET
150W – 28V – 175MHz
PUSH–PULL
FEATURES
SIMPLIFIED AMPLIFIER DESIGN
SUITABLE FOR BROAD BAND APPLICATIONS
LOW C
rss
SIMPLE BIAS CIRCUITS
LOW NOISE
HIGH GAIN – 13 dB MINIMUM
DR
PIN 1
PIN 3
PIN 5
SOURCE (COMMON)
DRAIN 2
GATE 1
PIN 2
PIN 4
DRAIN 1
GATE 2
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
(T
case
= 25°C unless otherwise stated)
APPLICATIONS
VHF/UHF COMMUNICATIONS
from 1 MHz to 200 MHz
METAL GATE RF SILICON FET
TetraFET
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| D1027UK | METAL GATE RF SILICON FET |
| D1028UK | Gold Metallised Multi-Purpose Silicon DMOS RF FET(300W-28V-175MHz,Push-Pull)(鍍金多用DMOS射頻硅場(chǎng)效應(yīng)管(300W-28V-175MHz,推挽式)) |
| D1028 | METAL GATE RF SILICON FET |
| D1028UK | METAL GATE RF SILICON FET |
| D1029UK | Gold Metallised Multi-Purpose Silicon DMOS RF FET(350W-28V-175MHz,Push-Pull)(鍍金多用DMOS射頻硅場(chǎng)效應(yīng)管(350W-28V-175MHz,推挽式)) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| D1028 | 制造商:SEME-LAB 制造商全稱:Seme LAB 功能描述:METAL GATE RF SILICON FET |
| D10-28 | 制造商:ASI 制造商全稱:ASI 功能描述:NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR |
| D1028UK | 制造商:TT Electronics/ Semelab 功能描述:MOSFETRFN CHPP28V300W175MHZDR 制造商:TT Electronics / Semelab 功能描述:RF POWER TRANSISTOR MOSFET |
| D1029 | 制造商:Smart Design 功能描述: |
| D1029N18T | 功能描述:整流器 1.8KV 1.3KA RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 產(chǎn)品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向電壓:100 V 正向電壓下降: 恢復(fù)時(shí)間:1.2 us 正向連續(xù)電流:2 A 最大浪涌電流:35 A 反向電流 IR:5 uA 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-221AC 封裝:Reel |
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