- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄376504 > D1028UK (SEMELAB LTD) METAL GATE RF SILICON FET PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | D1028UK |
| 廠商： | SEMELAB LTD |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | METAL GATE RF SILICON FET |
| 中文描述： | 2 CHANNEL, UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, CERAMIC, DR, 5 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 3/7頁 |
| 文件大?。?/td> | 126K |
| 代理商： | D1028UK |
D1028UK
01/01
Semelab plc.
Telephone +44(0)1455 556565. Fax +44(0)1455 552612.
E-mail:
sales@semelab.co.uk
http://www.semelab.co.uk0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
P n W
0
50
100
150
200
250
300
350
400
P out
W
20
30
40
50
60
70
80
90
100
Drain Efficiency
%
Pout
Drain Efficiency
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
P n W
0
50
100
150
200
250
300
350
400
P out
W
12
14
16
18
20
Gain
dB
Pout
Gain
Figure 1
–
Power Output and Efficiency
vs. Power Input.
Figure 2
–
Power Output & Gain
vs. Power Input.
f = 175MHz
I
dq
= 2A
V
ds
= 28V
f = 175MHz
I
dq
= 2A
V
ds
= 28V
2nd harmonic = -28dBc
3rd harmonic = -40dBc
output at 350W
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
P n W
0
50
100
150
200
250
300
350
400
P out
W
20
30
40
50
60
70
80
90
100
Drain Efficiency
%
Pout
Drain Efficiency
Figure 3
–
IMD vs. Output Power.
0
0.5
1
1.5
2
2.5
I dq A
-50
-40
-30
-20
IMD
dBc
15.5
16.5
17.5
18.5
Gain
dB
IMD3
IMD5
Gain
Figure 4
–
IMD & Gain vs. I
dq
f
1
= 175.0 MHz
f
2
= 175.1 MHz
V
DS
= 28V
f
1
= 175.0MHz
f
2
= 175.1MHz
P
out
= 130W PEP
V
ds
= 28V
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| D1029UK | Gold Metallised Multi-Purpose Silicon DMOS RF FET(350W-28V-175MHz,Push-Pull)(鍍金多用DMOS射頻硅場效應(yīng)管(350W-28V-175MHz,推挽式)) |
| D1029UK | METAL GATE RF SILICON FET |
| D1031SH | SCR / Diode Presspacks |
| D1031 | METAL GATE RF SILICON FET |
| D1031UK | METAL GATE RF SILICON FET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| D1029 | 制造商:Smart Design 功能描述: |
| D1029N18T | 功能描述:整流器 1.8KV 1.3KA RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 產(chǎn)品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向電壓:100 V 正向電壓下降: 恢復(fù)時間:1.2 us 正向連續(xù)電流:2 A 最大浪涌電流:35 A 反向電流 IR:5 uA 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-221AC 封裝:Reel |
| D1029N19T | 制造商:n/a 功能描述:Diode |
| D1029N20T | 功能描述:整流器 2KV 1.3KA RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 產(chǎn)品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向電壓:100 V 正向電壓下降: 恢復(fù)時間:1.2 us 正向連續(xù)電流:2 A 最大浪涌電流:35 A 反向電流 IR:5 uA 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-221AC 封裝:Reel |
| D1029N21T | 制造商:n/a 功能描述:Diode |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。