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參數(shù)資料
| 型號： | D882SS |
| 廠商： | 友順科技股份有限公司 |
| 英文描述： | NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR |
| 中文描述： | npn型外延硅晶體管 |
| 文件頁數(shù)： | 2/4頁 |
| 文件大小： | 60K |
| 代理商： | D882SS |
UTC D882SS NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
UTC
UNISONIC TECHNOLOGIES CO. LTD
2
QW-R206-018,A
Note 1:Pulse test:PW<300
μ
s,Duty Cycle<2%
CLASSIFICATION OF hFE2
RANK
RANGE
TYPICAL PARAMETERS PERFORMANCE
Q
P
E
100-200
160-320
200-400
Fig.1 Static characteristics
-Collector-Emitter voltage(V)
-
0
4
8
12
16
20
0
0.4
0.8
1.2
1.6
Tc,Case Temperature(°C)
-IB=1mA
-IB=2mA
-IB=3mA
-IB=4mA
-IB=5mA
-IB=6mA
-IB-IB=7mA
-IB=9mA
Fig.2 Derating curve of safe
operating areas
-
200
150
100
50
0
-50
0
50
100
150
Sblmted
Dsipaionlmted
Tc,Case Temperature(°C)
200
150
100
50
0
-50
Fig.3 Power Derating
P
0
4
8
12
Fig.4 Collector Output
capacitance
-Collector-Base Voltage(v)
O
100
10-1
10-2
10-3
101
102
103
100
I
E
=0
f=1MHz
Fig.5 Current gain-
bandwidth product
F
T
(
b
101
102
103
100
V
CE
=5V
Collector-Emitter Voltage
-
Fig.6 Safe operating area
Ic(max),DC
Ic(max),Pulse
10mS
1mS
01mS
Ic,Collector current(A)
Fig.7 DC current gain
-Ic,Collector current(mA)
-Ic,Collector current(mA)
Fig.8 Saturation Voltage
D
101
102
103
100
-
V
CE
=-2V
V
CE
(sat)
V
BE
(sat)
10-2
10-1
100
101
10-2
10-1
100
101
100
101
102
100
101
102
103
104
100
101
102
103
104
100
101
102
103
104
I
B
=8mA
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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