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參數(shù)資料
| 型號： | DBDD800S33K2C20 |
| 英文描述： | IGBT Module |
| 中文描述： | IGBT模塊 |
| 文件頁數(shù)： | 3/4頁 |
| 文件大小： | 147K |
| 代理商： | DBDD800S33K2C20 |
3
Technische Information / technical information
DD800S33K2C
IGBT-modules
IGBT-Module
prepared by: Jürgen Biermann
approved by: Christoph Lübke
date of publication: 2003-6-13
revision: 2.0
Vorlufige Daten
preliminary data
Durchlakennlinie der Diode-Wechselr. (typisch)
forward characteristic of diode-inverter (typical)
I = f (V)
V [V]
I
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
2,5
3,0
3,5
4,0
1600
1400
1200
1000
800
600
400
200
0
TY = 25°C
TY = 125°C
Transienter Wrmewiderstand Diode-Wechselr.
transient thermal impedance diode-inverter
Zúì = f (t)
t [s]
Z
0,001
0,01
0,1
1
10
0,1
1
10
100
Zúì : Diode
i:
rí[K/kW]:
í[s]:
τ
1
11,7
0,03
2
6,5
0,1
3
1,56
0,3
4
6,24
1
Sicherer Arbeitsbereich Diode-Wechselr. (SOA)
save operation area diode-inverter (SOA)
I = f(V)
TY = 125°C
V [V]
I
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
3500
2000
1800
1600
1400
1200
1000
800
600
400
200
0
I, Modul
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