參數(shù)資料
型號(hào)： DD106N12K-K
元件分類(lèi)： 參考電壓二極管
英文描述： 115 A, 1200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
封裝： MODULE-3
文件頁(yè)數(shù)： 1/10頁(yè)
文件大?。?/td> 239K
代理商： DD106N12K-K
N
Netz-Dioden-Modul
Rectifier Diode Module
Datenblatt / Data sheet
DD106N
BIP AC / 85-09-19, Tscharn
A9/E85
1/8
Seite/page
Kenndaten
Elektrische Eigenschaften
Thermische Eigenschaften
DD106N
DD106N..K..-A
DD106N..K..-K
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Hchstzulssige Werte / Maximum rated values
Periodische Spitzensperrspannung
repetitive peak reverse voltages
Tvj = -40°C... Tvj max
VRRM
1200
1600
2000
1400
1800
2200
V
1)
Stospitzensperrspannung
non-repetitive peak reverse voltage
Tvj = +25°C... Tvj max
VRSM
1300
1700
2100
1500
1900
2300
V
Durchlastrom-Grenzeffektivwert
maximum RMS on-state current
IFRMSM
180 A
Dauergrenzstrom
average on-state current
TC = 100°C
TC = 93°C
IFAVM
106
115
A
Stostrom-Grenzwert
surge current
Tvj = 25 °C, tP = 10 ms
Tvj = Tvj max, tP = 10 ms
IFSM
3.000
2.600
A
Grenzlastintegral
It-value
Tvj = 25 °C, tP = 10 ms
Tvj = Tvj max, tP = 10 ms
It
45.000
33.800
As
Charakteristische Werte / Characteristic values
Durchlaspannung
on-state voltage
Tvj = Tvj max , iF = 300 A
vF
max.
1,35 V
Schleusenspannung
threshold voltage
Tvj = Tvj max
V(TO)
0,7 V
Ersatzwiderstand
slope resistance
Tvj = Tvj max
rT
2m
Sperrstrom
reverse current
Tvj = Tvj max , vR = VRRM
iR
max.
20 mA
Isolations-Prüfspannung
insulation test voltage
RMS, f = 50 Hz, t = 1 sec
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min
VISOL
3,6
3,0
kV
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wrmewiderstand
thermal resistance, junction to case
pro Modul / per Module, Θ = 180° sin
pro Zweig / per arm, Θ = 180° sin
pro Modul / per Module, DC
pro Zweig / per arm, DC
RthJC
max.
0,195
0,390
0,185
0,370
°C/W
bergangs-Wrmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
pro Modul / per Module
pro Zweig / per arm
RthCH
max.
0,04
0,08
°C/W
Hchstzulssige Sperrschichttemperatur
maximum junction temperature
Tvj max
150 °C
Betriebstemperatur
operating temperature
Tc op
- 40...+150 °C
Lagertemperatur
storage temperature
Tstg
- 40...+150 °C
1) 2200V auf Anfrage/ 2200V on request
prepared by: C. Drilling
date of publication: 29.04.03
approved by: M. Leifeld
revision:
1
相關(guān)PDF資料
PDF描述
DD171N12K-K 171 A, 1200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
DD22S14K 32 A, 1400 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
DD241S10K-A 261 A, 1000 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
DD44F1000X/AA 44 CONTACT(S), FEMALE, D SUBMINIATURE CONNECTOR
DD44F20GEX 44 CONTACT(S), FEMALE, D SUBMINIATURE CONNECTOR, SOLDER
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參數(shù)描述
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