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參數(shù)資料
| 型號： | DG200BDJ-E3 |
| 廠商： | Vishay Siliconix |
| 文件頁數(shù)： | 5/6頁 |
| 文件大?。?/td> | 0K |
| 描述： | IC SWITCH DUAL SPST 14DIP |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝： | 500 |
| 功能： | 開關(guān) |
| 電路： | 2 x SPST - NC |
| 導(dǎo)通狀態(tài)電阻： | 85 歐姆 |
| 電壓電源： | 雙電源 |
| 電壓 - 電源，單路/雙路(±)： | ±15V |
| 電流 - 電源： | 50µA |
| 工作溫度： | -40°C ~ 85°C |
| 安裝類型： | 通孔 |
| 封裝/外殼： | 14-DIP（0.300"，7.62mm） |
| 供應(yīng)商設(shè)備封裝： | 14-PDIP |
| 包裝： | 散裝 |
Document Number: 71357
S-71155–Rev. C, 11-Jun-07
www.vishay.com
5
Vishay Siliconix
DG200B
TEST CIRCUITS
Vishay Siliconix maintains worldwide manufacturing capability. Products may be manufactured at one of several qualified locations. Reliability data for Silicon
Technology and Package Reliability represent a composite of all qualified locations. For related documents such as package/tape drawings, part marking, and
reliability data, see http://www.vishay.com/ppg?71357.
Figure 3. Charge Injection
CL
1000 pF
Vg
3 V
D
V+
V-
Rg
- 15 V
GND
IN
S
VO
+ 15 V
VO
ΔVO
INX
ON
OFF
ΔVO = measured voltage error due to charge injection
The charge injection in coulombs is
ΔQ = CL x ΔVO
Figure 4. Off Isolation
S
IN
RL
D
Rg = 50 Ω
VS
VO
5 V
Off Isolation = 20 log
VS
VO
V+
- 15 V
GND
V-
C
+ 15 V
Figure 5. Channel-to-Channel Crosstalk
IN1
0 V
VO
+ 15 V
- 15 V
GND
RL
V+
V-
NC
XTALK = 20 log
C
VS
C
VO
0 V
50
Ω
VS
S1
IN2
S2
Rg = 50 Ω
D1
D2
C = RF bypass
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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