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參數(shù)資料
| 型號： | DG2016DQ-T1-E3 |
| 廠商： | Vishay Siliconix |
| 文件頁數(shù)： | 6/8頁 |
| 文件大?。?/td> | 0K |
| 描述： | IC SWITCH DUAL SPDT 10MSOP |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝： | 2,500 |
| 功能： | 開關(guān) |
| 電路： | 2 x SPDT - NC/NO |
| 導(dǎo)通狀態(tài)電阻： | 4 歐姆 |
| 電壓電源： | 單電源 |
| 電壓 - 電源，單路/雙路(±)： | 1.8 V ~ 5.5 V |
| 電流 - 電源： | 10nA |
| 工作溫度： | -40°C ~ 85°C |
| 安裝類型： | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼： | 10-TFSOP，10-MSOP（0.118"，3.00mm 寬） |
| 供應(yīng)商設(shè)備封裝： | 10-MSOP |
| 包裝： | 帶卷 (TR) |
www.vishay.com
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Document Number: 72030
S11-1185-Rev. D, 13-Jun-11
Vishay Siliconix
DG2016, DG2026
This document is subject to change without notice.
THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000
TEST CIRCUITS
Vishay Siliconix maintains worldwide manufacturing capability. Products may be manufactured at one of several qualified locations. Reliability data for Silicon
Technology and Package Reliability represent a composite of all qualified locations. For related documents such as package/tape drawings, part marking, and
reliability data, see www.vishay.com/ppg?72030.
Figure 2. Break-Before-Make Interval
CL (includes fixture and stray capacitance)
NC
VNO
NO
VNC
0 V
Logic
Input
Switch
Output
VO
VNC = VNO
tr < 5 ns
tf < 5 ns
90 %
tD
IN
COM
V+
GND
V+
CL
35 pF
VO
RL
50
VINL
VINH
Figure 3. Charge Injection
Off
On
IN
VOUT
VOUT
Q =
VOUT x CL
CL = 1 nF
Rgen
VOUT
COM
VIN = 0 - V+
IN
Vgen
GND
V+
IN depends on switch configuration: input polarity
determined by sense of switch.
+
NC or NO
Figure 4. Off-Isolation
IN
GND
NC or NO
0 V, 2.4 V
10 nF
COM
Off Isolation = 20 log
V
COM
V
NO/ NC
RL
Analyzer
V+
COM
Figure 5. Channel Off/On Capacitance
NC or NO
f = 1 MHz
IN
COM
GND
0 V, 2.4 V
Meter
HP4192A
Impedance
Analyzer
or Equivalent
10 nF
V+
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