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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | DG2017DN-T1-E4 |
| 廠商： | Vishay Siliconix |
| 文件頁數(shù)： | 6/9頁 |
| 文件大?。?/td> | 0K |
| 描述： | IC SWITCH DUAL SPDT 16QFN |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝： | 2,500 |
| 功能： | 開關(guān) |
| 電路： | 2 x DPDT - NC/NO |
| 導(dǎo)通狀態(tài)電阻： | 3.7 歐姆 |
| 電壓電源： | 單電源 |
| 電壓 - 電源，單路/雙路(±)： | 2 V ~ 5.5 V |
| 電流 - 電源： | 1µA |
| 工作溫度： | -40°C ~ 85°C |
| 安裝類型： | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼： | 16-VQFN 裸露焊盤 |
| 供應(yīng)商設(shè)備封裝： | 16-QFN（4x4） |
| 包裝： | 帶卷 (TR) |
www.vishay.com
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Document Number: 72228
S13-1286-Rev. C, 27-May-13
Vishay Siliconix
DG2017
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THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000
For technical questions, contact: pmostechsupport@vishay.com
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 °C, unless otherwise noted)
TEST CIRCUITS
Switching Threshold vs. Supply Voltage
V+ - Supply Voltage (V)
-
Switching
Threshold
(V)
V
T
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
012
34
567
Charge Injection vs. Analog Voltage
- 6 0
- 4 0
- 2 0
0
20
40
60
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
VCOM - Analog Voltage (V)
Q
-
Charge
Injection
(pC)
SW1 and SW2
SW3 and SW4
V+ = 3 V
Figure 1. Switching Time
Switch
Input
CL (includes fixture and stray capacitance)
V+
IN
NO or NC
CL
35 pF
COM
Logic
Input
RL
300
Ω
VOUT
GND
V+
50 %
0 V
Logic
Input
Switch
Output
tON
tOFF
Logic "1" = Switch On
Logic input waveforms inverted for switches that have
the opposite logic sense.
0 V
Switch Output
0.9 x VOUT
tr < 5 ns
tf < 5 ns
VINH
VINL
V
OUT =VCOM
R
L
R
L +RON
Figure 2. Break-Before-Make Interval
CL (includes fixture and stray capacitance)
NC
VNO
NO
VNC
0 V
Logic
Input
Switch
Output
VO
VNC = VNO
tr < 5 ns
tf < 5 ns
90 %
tD
IN
COM
V+
GND
V+
CL
35 pF
VO
RL
300
Ω
VINL
VINH
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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