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參數(shù)資料
| 型號： | DG2020DV-T1-E3 |
| 廠商： | Vishay Siliconix |
| 文件頁數(shù)： | 11/11頁 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC ANALOG SWITCH SPDT 6TSOP |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝： | 3,000 |
| 功能： | 開關(guān) |
| 電路： | 1 x SPDT - NC/NO |
| 導(dǎo)通狀態(tài)電阻： | 1.6 歐姆 |
| 電壓電源： | 單電源 |
| 電壓 - 電源，單路/雙路(±)： | 2.7 V ~ 5.5 V |
| 電流 - 電源： | 200nA |
| 工作溫度： | -40°C ~ 85°C |
| 安裝類型： | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼： | 6-TSOP（0.065"，1.65mm 寬） |
| 供應(yīng)商設(shè)備封裝： | 6-TSOP |
| 包裝： | 帶卷 (TR) |
AN823
Vishay Siliconix
www.vishay.com
2
Document Number: 71743
27-Feb-04
255 260_C
1X4_C/s (max)
3-6_C/s (max)
10 s (max)
Reflow Zone
Pre-Heating Zone
3_C/s (max)
140 170_C
Maximum peak temperature at 240_C is allowed.
FIGURE 3.
Solder Reflow Temperature and Time Durations
60-120 s (min)
217_C
60 s (max)
THERMAL PERFORMANCE
A basic measure of a device’s thermal performance is the
junction-to-case
thermal
resistance,
Rqjc,
or
the
junction-to-foot thermal resistance, Rqjf. This parameter is
measured for the device mounted to an infinite heat sink and
is therefore a characterization of the device only, in other
words, independent of the properties of the object to which the
device is mounted. Table 1 shows the thermal performance
of the TSOP-6.
TABLE 1.
Equivalent Steady State Performance—TSOP-6
Thermal Resistance Rqjf
30_C/W
SYSTEM AND ELECTRICAL IMPACT OF
TSOP-6
In any design, one must take into account the change in
MOSFET rDS(on) with temperature (Figure 4).
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
50
25
0
25
50
75
100
125
150
VGS = 4.5 V
ID = 6.1 A
On-Resistance vs. Junction Temperature
TJ Junction Temperature (_C)
FIGURE 4.
Si3434DV
r DS
(on)
On-Resiistance (Normalized)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| DG2026DQ-T1-E3 | 功能描述:模擬開關(guān) IC Low Volt Dual SPDT RoHS:否 制造商:Texas Instruments 開關(guān)數(shù)量:2 開關(guān)配置:SPDT 開啟電阻（最大值）:0.1 Ohms 切換電壓（最大）: 開啟時(shí)間（最大值）: 關(guān)閉時(shí)間（最大值）: 工作電源電壓:2.7 V to 4.5 V 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DSBGA-16 |
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