參數(shù)資料
型號： DS1230ABL-85-IND
英文描述： NVRAM (Battery Based)
中文描述： NVRAM中（基于電池）
文件頁數(shù)： 7/12頁
文件大?。?/td> 469K
代理商： DS1230ABL-85-IND
DS1230Y/AB
4 of 12
CAPACITANCE
(tA=25
°C)
PARAMETER
SYMBOL
MIN
TYP
MAX
UNITS
NOTES
Input Capacitance
CIN
5
10
pF
Input/Output Capacitance
CI/O
5
10
pF
AC ELECTRICAL
(VCC=5V
± 5% for DS1230AB)
CHARACTERISTICS
(tA: See Note 10) (VCC=5V
± 10% for DS1230Y)
DS1230AB-70
DS1230Y-70
DS1230AB-85
DS1230Y-85
DS1230AB-100
DS1230Y-100
PARAMETER
SYMBOL
MIN
MAX
MIN
MAX
MIN
MAX
UNITS
NOTES
Read Cycle
Time
tRC
70
85
100
ns
Access Time
tACC
70
85
100
ns
OE
to Output
Valid
tOE
35
45
50
ns
CE
to Output
Valid
tCO
70
85
100
ns
OE
or CE to
Output Active
tCOE
5
ns
5
Output High Z
from
Deselection
tOD
25
30
35
ns
5
Output Hold
from Address
Change
tOH
5
ns
Write Cycle
Time
tWC
70
85
100
ns
Write Pulse
Width
tWP
55
65
75
ns
3
Address Setup
Time
tAW
0
ns
Write Recovery
Time
tWR1
tWR2
5
15
5
15
5
15
ns
12
13
Output High Z
from WE
tODW
25
30
35
ns
5
Output Active
from WE
tOEW
5
ns
5
Data Setup
Time
tDS
30
35
40
ns
4
Data Hold
Time
tDH1
tDH2
0
10
0
10
0
10
ns
12
13
相關PDF資料
PDF描述
DS1230ABP-100 NVRAM (Battery Based)
DS1230ABP-120 NVRAM (Battery Based)
DS1230YP-200 NVRAM (Battery Based)
DS1230YP-70 NVRAM (Battery Based)
DS1230YP-85 NVRAM (Battery Based)
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
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DS1230AB-P100IND 制造商:DALLAS 制造商全稱:Dallas Semiconductor 功能描述:256k Nonvolatile SRAM
DS1230ABP-100-IND 制造商:DALLAS 制造商全稱:Dallas Semiconductor 功能描述:256k Nonvolatile SRAM
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