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參數(shù)資料
| 型號： | DS1230ABP-100 |
| 英文描述： | NVRAM (Battery Based) |
| 中文描述： | NVRAM中（基于電池） |
| 文件頁數(shù)： | 10/12頁 |
| 文件大?。?/td> | 469K |
| 代理商： | DS1230ABP-100 |
DS1230Y/AB
7 of 12
WRITE CYCLE 2
SEE NOTES 2, 3, 4, 6, 7, 8, and 13
POWER-DOWN/POWER-UP CONDITION
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| DS1230ABP-120 | NVRAM (Battery Based) |
| DS1230YP-200 | NVRAM (Battery Based) |
| DS1230YP-70 | NVRAM (Battery Based) |
| DS1230YP-85 | NVRAM (Battery Based) |
| DS1231G-20 | Power Supply Supervisor |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| DS1230ABP-100+ | 功能描述:NVRAM 256k Nonvolatile SRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 存儲容量:1024 Kbit 組織:128 K x 8 接口類型:Parallel 訪問時間:70 ns 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:4.5 V 工作電流:85 mA 最大工作溫度:+ 70 C 最小工作溫度:0 C 封裝 / 箱體:EDIP 封裝:Tube |
| DS1230AB-P100IND | 制造商:DALLAS 制造商全稱:Dallas Semiconductor 功能描述:256k Nonvolatile SRAM |
| DS1230ABP-100-IND | 制造商:DALLAS 制造商全稱:Dallas Semiconductor 功能描述:256k Nonvolatile SRAM |
| DS1230AB-P120 | 制造商:DALLAS 制造商全稱:Dallas Semiconductor 功能描述:256k Nonvolatile SRAM |
| DS1230ABP-120 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:NVRAM (Battery Based) |
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