參數(shù)資料
型號(hào)： DS1230ABP-100
英文描述： NVRAM (Battery Based)
中文描述： NVRAM中（基于電池）
文件頁(yè)數(shù)： 2/12頁(yè)
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代理商： DS1230ABP-100
DS1230Y/AB
10 of 12
DS1230Y/AB NONVOLATILE SRAM, 34-PIN POWERCAP MODULE
INCHES
PKG
DIM
MIN
NOM
MAX
A
0.920
0.925
0.930
B
0.980
0.985
0.990
C
-
0.080
D
0.052
0.055
0.058
E
0.048
0.050
0.052
F
0.015
0.020
0.025
G
0.020
0.025
0.030
相關(guān)PDF資料
PDF描述
DS1230ABP-120 NVRAM (Battery Based)
DS1230YP-200 NVRAM (Battery Based)
DS1230YP-70 NVRAM (Battery Based)
DS1230YP-85 NVRAM (Battery Based)
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參數(shù)描述
DS1230ABP-100+ 功能描述:NVRAM 256k Nonvolatile SRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 存儲(chǔ)容量:1024 Kbit 組織:128 K x 8 接口類(lèi)型:Parallel 訪問(wèn)時(shí)間:70 ns 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:4.5 V 工作電流:85 mA 最大工作溫度:+ 70 C 最小工作溫度:0 C 封裝 / 箱體:EDIP 封裝:Tube
DS1230AB-P100IND 制造商:DALLAS 制造商全稱(chēng):Dallas Semiconductor 功能描述:256k Nonvolatile SRAM
DS1230ABP-100-IND 制造商:DALLAS 制造商全稱(chēng):Dallas Semiconductor 功能描述:256k Nonvolatile SRAM
DS1230AB-P120 制造商:DALLAS 制造商全稱(chēng):Dallas Semiconductor 功能描述:256k Nonvolatile SRAM
DS1230ABP-120 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:NVRAM (Battery Based)
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