參數(shù)資料
型號: DS1330YP-100
英文描述: 256k Nonvolatile SRAM with Battery Monitor
中文描述: 256k非易失SRAM與電池監(jiān)視器
文件頁數(shù): 6/11頁
文件大?。?/td> 191K
代理商: DS1330YP-100
DS1330Y/AB
6 of 11
POWER-DOWN/POWER-UP CONDITION
BATTERY WARNING DETECTION
相關(guān)PDF資料
PDF描述
DS1330YP-70 256k Nonvolatile SRAM with Battery Monitor
DS1330YP-70-IND 256k Nonvolatile SRAM with Battery Monitor
DS1330BL-70-IND NVRAM (Battery Based)
DS1330WP-150 NVRAM (Battery Based)
DS1330YL-100 NVRAM (Battery Based)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
DS1330YP-100+ 功能描述:NVRAM 256K NV RAM w/Battery Monitor RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 存儲容量:1024 Kbit 組織:128 K x 8 接口類型:Parallel 訪問時間:70 ns 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:4.5 V 工作電流:85 mA 最大工作溫度:+ 70 C 最小工作溫度:0 C 封裝 / 箱體:EDIP 封裝:Tube
DS1330YP-100-IND 制造商:DALLAS 制造商全稱:Dallas Semiconductor 功能描述:4096k Nonvolatile SRAM with Battery Monitor
DS1330YP-70 功能描述:NVRAM 256K NV RAM w/Battery Monitor RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 存儲容量:1024 Kbit 組織:128 K x 8 接口類型:Parallel 訪問時間:70 ns 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:4.5 V 工作電流:85 mA 最大工作溫度:+ 70 C 最小工作溫度:0 C 封裝 / 箱體:EDIP 封裝:Tube
DS1330YP-70+ 功能描述:NVRAM 256K NV RAM w/Battery Monitor RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 存儲容量:1024 Kbit 組織:128 K x 8 接口類型:Parallel 訪問時間:70 ns 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:4.5 V 工作電流:85 mA 最大工作溫度:+ 70 C 最小工作溫度:0 C 封裝 / 箱體:EDIP 封裝:Tube
DS1330YP-70IND 功能描述:NVRAM 256K NV RAM w/Battery Monitor RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 存儲容量:1024 Kbit 組織:128 K x 8 接口類型:Parallel 訪問時間:70 ns 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:4.5 V 工作電流:85 mA 最大工作溫度:+ 70 C 最小工作溫度:0 C 封裝 / 箱體:EDIP 封裝:Tube