參數(shù)資料
型號： DS1350Y-70
元件分類： DRAM
英文描述： 4096k Nonvolatile SRAM with Battery Monitor
中文描述： 4096k非易失SRAM與電池監(jiān)視器
文件頁數(shù)： 10/12頁
文件大?。?/td> 228K
代理商： DS1350Y-70
DS1350Y/AB
10 of 12
DS1350Y/AB NONVOLATILE SRAM, 34-PIN POWERCAP MODULE
INCHES
PKG
DIM
MIN
NOM
MAX
A
0.920
0.925
0.930
B
0.980
0.985
0.990
C
-
-
0.080
D
0.052
0.055
0.058
E
0.048
0.050
0.052
F
0.015
0.020
0.025
G
0.020
0.025
0.030
相關PDF資料
PDF描述
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DS1350BL-100-IND NVRAM (Battery Based)
DS1350BL-70 NVRAM (Battery Based)
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
DS1350YL-100 功能描述:IC NVSRAM 4MBIT 100NS 34LPM RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:150 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:4K (2 x 256 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:2.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-VFDFN 裸露焊盤 供應商設備封裝:8-DFN（2x3） 包裝:管件 產(chǎn)品目錄頁面:1445 (CN2011-ZH PDF)
DS1350YL-100-IND 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:NVRAM (Battery Based)
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DS1350YL-70IND 功能描述:IC NVSRAM 4MBIT 70NS 34LPM RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:150 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:4K (2 x 256 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:2.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-VFDFN 裸露焊盤 供應商設備封裝:8-DFN（2x3） 包裝:管件 產(chǎn)品目錄頁面:1445 (CN2011-ZH PDF)
DS1350YL-70-IND 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:NVRAM (Battery Based)
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