參數資料
型號： DSEC60-02A
廠商： IXYS CORP
元件分類： 參考電壓二極管
英文描述： HiPerFRED Epitaxial Diode with common cathode and soft recovery
中文描述： 30 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-247AD
封裝： PLASTIC PACKAGE-3
文件頁數： 1/2頁
文件大小： 47K
代理商： DSEC60-02A
2005 IXYS All rights reserved
1 - 2
DSEC 60-02A
IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.
V
RSM
V
V
RRM
V
Type
200
200
DSEC 60-02A
I
FAV
V
RRM
= 200 V
t
rr
= 25 ns
= 2x30 A
Symbol
Conditions
Maximum Ratings
I
FRMS
I
FAVM
I
FSM
E
AS
70
30
325
A
A
A
T
C
= 145°C; rectangular, d = 0.5
T
VJ
= 45°C; t
p
= 10 ms (50 Hz), sine
T
VJ
= 25°C; non-repetitive
I
AS
= 3 A; L = 180 μH
V
A
= 1.5
·
V
R
typ.; f = 10 kHz; repetitive
1.2
mJ
I
AR
T
VJ
T
VJM
T
stg
P
tot
M
d
F
C
0.3
A
-55...+175
°C
°C
°C
175
-55...+150
T
C
= 25°C
mounting torque
mounting force with clip
165
W
0.8...1.2
20...120
Nm
N
Weight
typical
6
g
Symbol
Conditions
Characteristic Values
typ.
max.
I
R
①
V
R
= V
RRM
; T
VJ
= 25°C
V
R
= V
RRM
; T
VJ
= 150°C
I
F
= 30 A;
10
200
μA
μA
V
F
②
T
VJ
= 150°C
T
VJ
= 25°C
0.95
1.20
V
V
R
thJC
R
thCH
t
rr
0.9
K/W
K/W
0.25
I
F
= 1 A; -di/dt = 200 A/μs;
V
R
= 30 V; T
VJ
= 25°C
V
R
= 100 V; I
= 50 A;
-di
F
/dt = 100 A/μs; T
VJ
= 100°C
25
ns
I
RM
4
A
HiPerFRED
TM
Epitaxial Diode
with common cathode and soft recovery
A = Anode, C = Cathode, TAB = Cathode
TO-247 AD
C
A
A
C (TAB)
A
C
A
Pulse test:
①
Pulse Width = 5 ms, Duty Cycle < 2.0 %
②
Pulse Width = 300
μ
s, Duty Cycle < 2.0 %
Data according to IEC 60747 and per diode unless otherwise specified.
Features
International standard package
Planar passivated chips
Very short recovery time
Extremely low switching losses
Low I
-values
Soft recovery behaviour
Epoxy meets UL 94V-0
Applications
Antiparallel diode for high frequency
switching devices
Antisaturation diode
Snubber diode
Free wheeling diode in converters
and motor control circuits
Rectifiers in switch mode power
supplies (SMPS)
Inductive heating
Uninterruptible power supplies (UPS)
Ultrasonic cleaners and welders
Advantages
Avalanche voltage rated for reliable
operation
Soft reverse recovery for low EMI/RFI
Low I
reduces:
- Power dissipation within the diode
- Turn-on loss in the commutating
switch
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PDF描述
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