參數(shù)資料
型號(hào)： DSEI12-12A
廠商： IXYS CORP
元件分類(lèi)： 參考電壓二極管
英文描述： Fast Recovery Epitaxial Diode (FRED)
中文描述： 11 A, 1200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AC
封裝： PLASTIC PACKAGE-2
文件頁(yè)數(shù)： 2/2頁(yè)
文件大?。?/td> 53K
代理商： DSEI12-12A
2000 IXYS All rights reserved
2 - 2
DSEI 12, 1200 V
Fig. 1 Forward current
versus voltage drop.
Fig. 2 Recovery charge versus -di
F
/dt.
Fig. 3 Peak reverse current versus
-di
F
/dt.
Dimensions
0
100
200
300
400
0
10
20
30
40
50
60
V
T
VJ
=125
°
C
I
F
=11A
di
F
/dt
t
fr
V
FR
t
fr
ns
0
200
400
600
800
1000
1200
V
FR
0
100
200
300
400
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
I
F
=5.5A
I
F
=11A
I
F
=22A
I
F
=11A
V
R
=540V
T
VJ
=100
°
C
-di
F
/dt
μs
t
rr
typ.
max.
0
40
80
120
160
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
K
f
Q
R
I
RM
°
C
T
J
0
100
200
A/μs
400
0
5
10
15
20
25
30
I
F
=5.5A
I
F
=11A
I
F
=22A
I
F
=11A
T
VJ
=100
°
C
V
R
=540V
A
max.
typ.
1
10
100
1000
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
μC
A/μs
-di
F
/dt
I
RM
-di
F
/dt
Q
r
typ.
max.
V
R
= 540V
0
1
2
3
4
0
5
10
15
20
25
30
A
T
VJ
=100
°
C
V
V
F
I
F
T
VJ
=150
°
C
T
VJ
=100
°
C
T
VJ
=25
°
C
I
F
=11A
I
F
=22A
I
F
=11A
I
F
=5.5A
A/μs
A/μs
Fig. 7 Transient thermal impedance junction to case.
Fig. 4 Dynamic parameters versus
junction temperature.
Fig. 5 Recovery time versus -di
F
/dt.
Fig. 6 Peak forward voltage
versus di
F
/dt.
Dim.
Millimeter
Min.
Inches
Max.
Min.
Max.
A
B
12.70 14.73
14.23 16.51
0.500 0.580
0.560 0.650
C
D
9.66 10.66
3.54
0.380 0.420
0.139 0.161
4.08
E
F
5.85
2.54
6.85
3.42
0.230 0.420
0.100 0.135
G
H
1.15
1.77
6.35
0.045 0.070
-
-
0.250
J
K
0.64
4.83
0.89
5.33
0.025 0.035
0.190 0.210
L
M
3.56
0.38
4.82
0.56
0.140 0.190
0.015 0.022
N
Q
2.04
0.64
2.49
1.39
0.080 0.115
0.025 0.055
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PDF描述
DSEI1212 Fast Recovery Epitaxial Diode (FRED)
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DSEI120-12A Fast Recovery Epitaxial Diode (FRED)
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參數(shù)描述
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DSEI19-06 制造商:IXYS 制造商全稱(chēng):IXYS Corporation 功能描述:Fast Recovery Epitaxial Diode (FRED)
DSEI19-06AS 功能描述:二極管 - 通用，功率，開(kāi)關(guān) 19 Amps 600V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 產(chǎn)品:Switching Diodes 峰值反向電壓:600 V 正向連續(xù)電流:200 A 最大浪涌電流:800 A 配置: 恢復(fù)時(shí)間:2000 ns 正向電壓下降:1.25 V 最大反向漏泄電流:300 uA 最大功率耗散: 工作溫度范圍: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:ISOTOP 封裝:Tube
DSEI19-06AS-TUB 功能描述:肖特基二極管與整流器 Fast Recovery Exitaxil Diode FRED RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 產(chǎn)品:Schottky Diodes 峰值反向電壓:2 V 正向連續(xù)電流:50 mA 最大浪涌電流: 配置:Crossover Quad 恢復(fù)時(shí)間: 正向電壓下降:370 mV 最大反向漏泄電流: 最大功率耗散:75 mW 工作溫度范圍:- 65 C to + 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-143 封裝:Reel
DSEI20 制造商:IXYS 制造商全稱(chēng):IXYS Corporation 功能描述:Fast Recovery Epitaxial Diode (FRED)
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