參數(shù)資料
型號： DSEI120-06A
廠商： IXYS CORP
元件分類： 參考電壓二極管
英文描述： Fast Recovery Epitaxial Diode (FRED)
中文描述： 126 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-247AD
封裝： TO-247AD, 2 PIN
文件頁數(shù)： 2/2頁
文件大?。?/td> 43K
代理商： DSEI120-06A
2000 IXYS All rights reserved
2 - 2
DSEI 120, 600V
200
600
-di
F
/dt
1000
0
400
800
A/
s
140
160
180
200
220
240
ns
0.001
0.01
0.1
1
10
0.01
0.1
1
0
50
100
T
VJ
150
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
K
f
°
C
t
s
K/W
0
200
400
600
di
F
/dt
800
1000
A/
m
s
10
30
50
0
20
40
60
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
V
FR
V
200
600
1000
0
400
800
A/
m
s
10
30
50
70
0
20
40
60
80
A
100
1000
0
1
2
3
4
5
6
7
0.0
0.5
1.0
1.5
0
25
50
75
100
125
150
A
I
RM
Q
r
I
F
V
F
-di
F
/dt
-di
F
/dt
V
μ
C
t
rr
t
fr
Z
thJC
A/
m
s
μ
s
0.05
0.3
0.5
D=0.7
0.2
0.01
DSEI 120-06
Single Pulse
I
F
=140A
I
F
= 70A
I
F
= 35A
T
VJ
= 100
°
C
V
R
= 300V
T
VJ
= 100
°
C
I
F
= 100A
Fig. 3 Peak reverse current I
RM
versus -di
F
/dt
Fig. 2 Reverse recovery charge Q
r
versus -di
F
/dt
Fig. 1 Forward current I
F
versus V
F
T
VJ
=100
°
C
T
VJ
=150
°
C
T
VJ
= 100
°
C
V
R
= 300V
T
VJ
= 100
°
C
V
R
= 300V
I
F
=140A
I
F
= 70A
I
F
= 35A
Q
r
I
RM
Fig. 4 Dynamic parameters Q
r
, I
RM
versus T
VJ
Fig. 5 Recovery time t
rr
versus -di
F
/dt
Fig. 6 Peak forward voltage V
FR
and t
fr
versus di
F
/dt
I
F
=140A
I
F
= 70A
I
F
= 35A
t
fr
V
FR
Fig. 7 Transient thermal resistance junction to case at various duty cycles
Constants for Z
thJC
calculation:
i
R
thi
(K/W)
0.017
0.0184
0.1296
0.185
t
i
(s)
0.00038
0.0026
0.0387
0.274
1
2
3
4
T
VJ
=25
°
C
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PDF描述
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DSEI1212 制造商:IXYS 制造商全稱:IXYS Corporation 功能描述:Fast Recovery Epitaxial Diode (FRED)
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