參數(shù)資料
型號： DSEI120
廠商： IXYS Corporation
英文描述： Fast Recovery Epitaxial Diode (FRED)(正向電流109A的快速恢復外延型二極管)
中文描述： 快速恢復外延二極管（弗雷德）（正向電流109A條的快速恢復外延型二極管）
文件頁數(shù)： 2/2頁
文件大小： 42K
代理商： DSEI120
2000 IXYS All rights reserved
2 - 2
DSEI 120, 1200 V
200
600
-di
F
/dt
1000
0
400
800
A/
s
200
250
300
350
400
450
500
ns
0.001
0.01
0.1
1
10
0.01
0.1
1
0
40
80
120
160
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
K
f
T
VJ
°
C
t
s
K/W
0
200
400
600
di
F
/dt
800
1000
A/
m
s
10
30
50
0
20
40
60
0.0
0.5
1.0
1.5
V
FR
V
200
600
1000
0
400
800
A/
m
s
20
60
100
0
40
80
120
100
1000
0
2
4
6
8
10
12
14
16
μ
C
0.0
0.5
1.0
1.5
V
F
2.0
0
25
50
75
100
125
150
A
I
RM
Q
r
I
F
-di
F
/dt
-di
F
/dt
A
V
t
rr
t
fr
Z
thJC
A/
m
s
μ
s
0.05
0.3
0.5
D=0.7
0.2
0.01
DSEI 120-12
Single Pulse
I
F
=140A
I
F
= 70A
I
F
= 35A
T
VJ
= 100
°
C
V
R
= 600V
T
VJ
= 100
°
C
I
F
= 100A
Fig. 3 Peak reverse current I
RM
versus -di
F
/dt
Fig. 2 Reverse recovery charge Q
r
versus -di
F
/dt
Fig. 1 Forward current I
F
versus V
F
T
VJ
=100
°
C
T
VJ
=150
°
C
T
VJ
= 100
°
C
V
R
= 600V
T
VJ
= 100
°
C
V
R
= 600V
I
F
=140A
I
F
= 70A
I
F
= 35A
Q
r
I
RM
Fig. 4 Dynamic parameters Q
r
, I
RM
versus T
VJ
Fig. 5 Recovery time t
rr
versus -di
F
/dt
Fig. 6 Peak forward voltage V
FR
and t
fr
versus di
F
/dt
I
F
=140A
I
F
= 70A
I
F
= 35A
t
fr
V
FR
Fig. 7 Transient thermal resistance junction to case
Constants for Z
thJC
calculation:
i
R
thi
(K/W)
0.017
0.0184
0.1296
0.185
t
i
(s)
0.00038
0.0026
0.0387
0.274
1
2
3
4
T
VJ
= 25
°
C
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DSEI120-12A 功能描述:整流器 120 Amps 1200V RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 產(chǎn)品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向電壓:100 V 正向電壓下降: 恢復時間:1.2 us 正向連續(xù)電流:2 A 最大浪涌電流:35 A 反向電流 IR:5 uA 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-221AC 封裝:Reel
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DSEI12-10A 功能描述:整流器 1000V 12A RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 產(chǎn)品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向電壓:100 V 正向電壓下降: 恢復時間:1.2 us 正向連續(xù)電流:2 A 最大浪涌電流:35 A 反向電流 IR:5 uA 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-221AC 封裝:Reel
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