參數(shù)資料
型號(hào)： DSPIC30F6013T-20E/PF
廠商： Microchip Technology
文件頁數(shù)： 94/228頁
文件大?。?/td> 0K
描述： IC DSPIC MCU/DSP 132K 80TQFP
產(chǎn)品培訓(xùn)模塊： Asynchronous Stimulus
標(biāo)準(zhǔn)包裝： 1,000
系列： dsPIC™ 30F
核心處理器： dsPIC
芯體尺寸： 16-位
速度： 20 MIPS
連通性： CAN，I²C，SPI，UART/USART
外圍設(shè)備： 欠壓檢測/復(fù)位，LVD，POR，PWM，WDT
輸入/輸出數(shù)： 68
程序存儲(chǔ)器容量： 132KB（44K x 24）
程序存儲(chǔ)器類型： 閃存
EEPROM 大?。?/td> 2K x 8
RAM 容量： 6K x 8
電壓 - 電源 (Vcc/Vdd)： 2.5 V ~ 5.5 V
數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器： A/D 16x12b
振蕩器型： 內(nèi)部
工作溫度： -40°C ~ 125°C
封裝/外殼： 80-TQFP
包裝： 帶卷 (TR)
配用： DM300024-ND - KIT DEMO DSPICDEM 1.1
AC164314-ND - MODULE SKT FOR PM3 80PF
其它名稱： DSPIC30F6013T20EP
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2006 Microchip Technology Inc.
DS70117F-page 181
dsPIC30F6011/6012/6013/6014
TABLE 23-12: DC CHARACTERISTICS: PROGRAM AND EEPROM
TABLE 23-11: ELECTRICAL CHARACTERISTICS: BOR
DC CHARACTERISTICS
Standard Operating Conditions: 2.5V to 5.5V
(unless otherwise stated)
Operating temperature
-40°C
≤ TA ≤ +85°C for Industrial
-40°C
≤ TA ≤ +125°C for Extended
Param
No.
Symbol
Characteristic
Min
Typ(1)
Max
Units
Conditions
BO10
VBOR
BOR Voltage(2) on
VDD transition high to
low
BORV = 11(3)
—
V
Not in operating
range
BORV = 10
2.6
—
2.71
V
BORV = 01
4.1
—
4.4
V
BORV = 00
4.58
—
4.73
V
BO15
VBHYS
—5
—
mV
Note 1:
Data in “Typ” column is at 5V, 25°C unless otherwise stated. Parameters are for design guidance only and
are not tested.
2:
These parameters are characterized but not tested in manufacturing.
3:
‘11’ values not in usable operating range.
DC CHARACTERISTICS
Standard Operating Conditions: 2.5V to 5.5V
(unless otherwise stated)
Operating temperature
-40°C
≤ TA ≤ +85°C for Industrial
-40°C
≤ TA ≤ +125°C for Extended
Param
No.
Symbol
Characteristic
Min
Typ(1)
Max
Units
Conditions
Data EEPROM Memory(2)
D120
ED
Byte Endurance
100K
1M
—
E/W
-40
°C ≤ TA ≤ +85°C
D121
VDRW
VDD for Read/Write
VMIN
—
5.5
V
Using EECON to read/write
VMIN = Minimum operating
voltage
D122
TDEW
Erase/Write Cycle Time
—
2
—
ms
D123
TRETD
Characteristic Retention
40
100
—
Year
Provided no other specifications
are violated
D124
IDEW
IDD During Programming
—
10
30
mA
Row Erase
Program FLASH Memory(2)
D130
EP
Cell Endurance
10K
100K
—
E/W
-40
°C ≤ TA ≤ +85°C
D131
VPR
VDD for Read
VMIN
—5.5
V
VMIN = Minimum operating
voltage
D132
VEB
VDD for Bulk Erase
4.5
—
5.5
V
D133
VPEW
VDD for Erase/Write
3.0
—
5.5
V
D134
TPEW
Erase/Write Cycle Time
—
2
—
ms
D135
TRETD
Characteristic Retention
40
100
—
Year
Provided no other specifications
are violated
D136
TEB
ICSP Block Erase Time
—
4
—
ms
D137
IPEW
IDD During Programming
—
10
30
mA
Row Erase
D138
IEB
IDD During Programming
—
10
30
mA
Bulk Erase
Note 1:
Data in “Typ” column is at 5V, 25°C unless otherwise stated.
2:
These parameters are characterized but not tested in manufacturing.
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DSPIC30F6013T-20I/PF 功能描述:數(shù)字信號(hào)處理器和控制器 - DSP, DSC 20MHz 132KB Flash RoHS:否 制造商:Microchip Technology 核心:dsPIC 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 程序存儲(chǔ)器大小:16 KB 數(shù)據(jù) RAM 大小:2 KB 最大時(shí)鐘頻率:40 MHz 可編程輸入/輸出端數(shù)量:35 定時(shí)器數(shù)量:3 設(shè)備每秒兆指令數(shù):50 MIPs 工作電源電壓:3.3 V 最大工作溫度:+ 85 C 封裝 / 箱體:TQFP-44 安裝風(fēng)格:SMD/SMT
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DSPIC30F6014-20E/PF 功能描述:數(shù)字信號(hào)處理器和控制器 - DSP, DSC 30MHz 132KB Flash RoHS:否 制造商:Microchip Technology 核心:dsPIC 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 程序存儲(chǔ)器大小:16 KB 數(shù)據(jù) RAM 大小:2 KB 最大時(shí)鐘頻率:40 MHz 可編程輸入/輸出端數(shù)量:35 定時(shí)器數(shù)量:3 設(shè)備每秒兆指令數(shù):50 MIPs 工作電源電壓:3.3 V 最大工作溫度:+ 85 C 封裝 / 箱體:TQFP-44 安裝風(fēng)格:SMD/SMT
DSPIC30F6014-20I/P 制造商:Microchip Technology Inc 功能描述:MCU - Rail/Tube
DSPIC30F6014-20I/PF 功能描述:數(shù)字信號(hào)處理器和控制器 - DSP, DSC 20MHz 144KB Flash RoHS:否 制造商:Microchip Technology 核心:dsPIC 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 程序存儲(chǔ)器大小:16 KB 數(shù)據(jù) RAM 大小:2 KB 最大時(shí)鐘頻率:40 MHz 可編程輸入/輸出端數(shù)量:35 定時(shí)器數(shù)量:3 設(shè)備每秒兆指令數(shù):50 MIPs 工作電源電壓:3.3 V 最大工作溫度:+ 85 C 封裝 / 箱體:TQFP-44 安裝風(fēng)格:SMD/SMT
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