分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 IPB65R190CFD品牌、價(jià)格、PDF參數(shù)

IPB65R190CFD • 品牌、價(jià)格
元器件型號(hào) 廠商 描述 數(shù)量 價(jià)格
IPB65R190CFD Infineon Technologies MOSFET N-CH 650V 17.5A TO263 0 1,000:$2.60316
2,000:$2.47300
5,000:$2.37074
10,000:$2.30566
25,000:$2.23128
IPD90N04S4-02 Infineon Technologies MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3-313 0 2,500:$0.80068
IPB65R190CFD • PDF參數(shù)
類別: 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
FET 型: MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點(diǎn): 標(biāo)準(zhǔn)
漏極至源極電壓(Vdss): 650V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 17.5A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: 190 毫歐 @ 7.3A，10V
Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）: 4.5V @ 730µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 68nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 1850pF @ 100V
功率 - 最大: 151W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB
供應(yīng)商設(shè)備封裝: PG-TO263
包裝: 帶卷 (TR)