分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 IPB530N15N3 G品牌、價(jià)格、PDF參數(shù)

IPB530N15N3 G • 品牌、價(jià)格
元器件型號(hào) 廠商 描述 數(shù)量 價(jià)格
IPB530N15N3 G Infineon Technologies MOSFET N-CH 150V 21A TO263-3 2,000 1,000:$0.79489
2,000:$0.74007
5,000:$0.71266
10,000:$0.68525
25,000:$0.67155
50,000:$0.65784
IPI024N06N3 G Infineon Technologies MOSFET N-CH 60V 120A TO262-3 0 500:$2.38508
IPD048N06L3 G Infineon Technologies MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3 0 2,500:$0.70322
IPD50R500CE Infineon Technologies MOSF 500V 7.6A PG-TO252 0 2,500:$0.70281
5,000:$0.67678
12,500:$0.65075
25,000:$0.63774
62,500:$0.62472
IPB530N15N3 G • PDF參數(shù)
類別: 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
FET 型: MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點(diǎn): 標(biāo)準(zhǔn)
漏極至源極電壓(Vdss): 150V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 21A
開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: 53 毫歐 @ 18A，10V
Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）: 4V @ 35µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 12nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 887pF @ 75V
功率 - 最大: 68W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB
供應(yīng)商設(shè)備封裝: PG-TO263-2
包裝: 帶卷 (TR)