分離式半導體產(chǎn)品 IPB029N06N3 G E8187品牌、價格、PDF參數(shù)

IPB029N06N3 G E8187 • 品牌、價格
元器件型號 廠商 描述 數(shù)量 價格
IPB029N06N3 G E8187 Infineon Technologies MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3 0 1,000:$1.24700
IPB049N06L3 G Infineon Technologies MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3 0 1:$2.04000
10:$1.75100
25:$1.57560
100:$1.42960
250:$1.28372
500:$1.10866
IPB029N06N3 G E8187 • PDF參數(shù)
類別: 分離式半導體產(chǎn)品
FET 型: MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點: 標準
漏極至源極電壓(Vdss): 60V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 120A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: 3.2 毫歐 @ 100A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）: 4V @ 118µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 165nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 13000pF @ 30V
功率 - 最大: 188W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB
供應(yīng)商設(shè)備封裝: PG-TO263-3
包裝: 帶卷 (TR)