分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 HTNFET-D品牌、價(jià)格、PDF參數(shù)
HTNFET-D • 品牌、價(jià)格
| 元器件型號 |
廠商 |
描述 |
數(shù)量 |
價(jià)格 |
| HTNFET-D |
Honeywell Microelectronics & Precision Sensors |
MOSFET N-CHANNEL 55V 8-DIP |
0 |
1:$343.75000
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HTNFET-D • PDF參數(shù)
| 類別: |
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
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| FET 型: |
MOSFET N 通道，金屬氧化物
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| FET 特點(diǎn): |
標(biāo)準(zhǔn)
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| 漏極至源極電壓(Vdss): |
55V
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| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: |
-
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| 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: |
400 毫歐 @ 100mA，5V
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| Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）: |
2.4V @ 100µA
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| 閘電荷(Qg) @ Vgs: |
4.3nC @ 5V
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| 輸入電容 (Ciss) @ Vds: |
290pF @ 28V
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| 功率 - 最大: |
50W
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| 安裝類型: |
通孔
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| 封裝/外殼: |
8-CDIP 裸露焊盤
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| 供應(yīng)商設(shè)備封裝: |
8-CDIP-EP
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| 包裝: |
散裝
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