分離式半導體產(chǎn)品 SIE800DF-T1-GE3品牌、價格、PDF參數(shù)

SIE800DF-T1-GE3 • 品牌、價格
元器件型號 廠商 描述 數(shù)量 價格
SIE800DF-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH D-S 30V POLARPAK 0 3,000:$1.16100
SI7390DP-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH D-S 30V PPAK 8SOIC 0 3,000:$1.16100
SIHU3N50D-E3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 500V 3A TO251 IPAK 50 1:$0.98000
25:$0.77760
100:$0.69980
250:$0.60912
500:$0.54432
1,000:$0.42768
SIE800DF-T1-GE3 • PDF參數(shù)
類別: 分離式半導體產(chǎn)品
FET 型: MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點: 標準
漏極至源極電壓(Vdss): 30V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 50A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: 7.2 毫歐 @ 11A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）: 3V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 35nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 1600pF @ 15V
功率 - 最大: 104W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: 10-PolarPAK?（S）
供應商設備封裝: 10-PolarPAK?（S）
包裝: 帶卷 (TR)