分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 SI4056DY-T1-GE3品牌、價(jià)格、PDF參數(shù)

SI4056DY-T1-GE3 • 品牌、價(jià)格
元器件型號(hào) 廠商 描述 數(shù)量 價(jià)格
SI4056DY-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 100V D-S 8SOIC 0 2,500:$0.33350
5,000:$0.31050
12,500:$0.29900
25,000:$0.28750
62,500:$0.28290
125,000:$0.27600
SIE848DF-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH D-S 30V POLARPAK 0 1:$2.98000
25:$2.29520
100:$2.08250
250:$1.87000
500:$1.61500
1,000:$1.36000
SQD50N06-07L-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 60V 50A TO252 0 2,000:$1.72900
SI4886DY-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 30V 9.5A 8-SOIC 0 2,500:$1.71570
SI4056DY-T1-GE3 • PDF參數(shù)
類別: 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
FET 型: MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點(diǎn): 邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss): 100V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 11.1A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: 23 毫歐 @ 15A，10V
Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）: 2.8V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 29.5nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 900pF @ 50V
功率 - 最大: 5.7W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
供應(yīng)商設(shè)備封裝: 8-SO
包裝: 帶卷 (TR)