分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 SI2333DS-T1-GE3品牌、價格、PDF參數(shù)

SI2333DS-T1-GE3 • 品牌、價格
元器件型號 廠商 描述 數(shù)量 價格
SI2333DS-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 12V SOT23-3 0 3,000:$0.22475
SQD25N06-22L-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH D-S 60V 25A TO252 0 2,000:$0.89100
SIE862DF-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH D-S 30V POLARPAK 0 3,000:$0.89100
SQ3426EEV-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 60V 7A 6TSOP 38 1:$0.79000
25:$0.55440
100:$0.47520
250:$0.41040
500:$0.35280
1,000:$0.27360
SQ3426EEV-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 60V 7A 6TSOP 38 1:$0.79000
25:$0.55440
100:$0.47520
250:$0.41040
500:$0.35280
1,000:$0.27360
SQ3419EEV-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 40V 7.4A 6TSOP 0 1:$0.79000
25:$0.55440
100:$0.47520
250:$0.41040
500:$0.35280
1,000:$0.27360
SI2333DS-T1-GE3 • PDF參數(shù)
類別: 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
FET 型: MOSFET P 通道，金屬氧化物
FET 特點: 邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss): 12V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 4.1A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: 32 毫歐 @ 5.3A，4.5V
Id 時的 Vgs(th)（最大）: 1V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 18nC @ 4.5V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 1100pF @ 6V
功率 - 最大: 750mW
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供應(yīng)商設(shè)備封裝: SOT-23-3（TO-236）
包裝: 帶卷 (TR)
電子產(chǎn)品資料
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